恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司王雷获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利CMOS光学传感器的元胞结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111558249.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权CMOS光学传感器的元胞结构是由王雷设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS光学传感器的元胞结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS光学传感器的元胞结构，包含：提供一半导体基底，所述基底中形成有光电二极管；在所述光电二极管的上方，具有微透镜；光线经过微透镜之后照射到所述的光电二极管上，将光信号转换为电信号；所述的光电二极管是由P型半导体薄层和N型半导体薄层交替间隔排列形成；所述的交替排列的P型半导体薄层和N型半导体薄层的排列方向与微透镜上光线的入射方向垂直，且在微透镜下方呈逐级往上收缩的台阶形态，使穿过微透镜的光线能照射到下方的所有半导体薄层。半导体薄层的杂质分布方向与入射光线垂直，大大降低了工艺难度，实现更小尺寸的CIS元胞结构，提高集成度。
本发明授权CMOS光学传感器的元胞结构在权利要求书中公布了：1.一种CMOS光学传感器的元胞结构，其特征在于：包括一半导体基底，所述半导体基底中形成有光电二极管；在所述光电二极管的上方，具有微透镜；光线经过微透镜之后照射到所述的光电二极管上，将光信号转换为电信号；所述的光电二极管是由P型半导体薄层和N型半导体薄层交替间隔排列形成；所述的交替间隔排列形成的P型半导体薄层和N型半导体薄层的排列方向与半导体衬底的表面垂直，或者是与微透镜的主光轴平行；所述的P型半导体薄层和N型半导体薄层在微透镜的正下方呈逐级往上收缩的台阶形态，形成光照区域，使穿过微透镜的光线能照射到下方的所有的半导体薄层。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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