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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210008434.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法是由颜树范设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：在屏蔽栅厚介质层形成后，通过等高度的光刻胶形成出屏蔽栅多晶硅生成区域，光刻胶去除后其位置淀积形成屏蔽栅多晶硅，同时，屏蔽栅厚介质层上方紧贴沟槽侧壁处淀积形成栅多晶硅，从而在不增加光刻过程情况下一步淀积完成屏蔽栅多晶硅和栅多晶硅，减少了多晶硅的淀积次数，以解决相关技术中光刻次数较多带来的成本问题；此外，新结构与新工艺下，减少了屏蔽栅多晶硅和栅多晶硅这两层多晶硅之间的交叠电容，进而降低了输入电容。

本发明授权一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：提供刻蚀有沟槽的衬底，在所述沟槽的内壁及底部沉积屏蔽栅厚介质层；在所述沟槽内填充光刻胶并从上方开始去除部分厚度的光刻胶，所述沟槽中，剩余厚度的光刻胶的顶部低于所述屏蔽栅厚介质层的顶部；沿所述沟槽侧壁刻蚀所述屏蔽栅厚介质层至顶部与所述剩余厚度的光刻胶的顶部齐平；将所述衬底上方的硬质掩膜层以及所述沟槽内所述剩余厚度的光刻胶去除；在所述屏蔽栅厚介质层上方且所述沟槽内壁形成栅介质层；通过一步淀积同时形成多晶硅形成栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅，其中，所述栅多晶硅形成于所述屏蔽栅厚介质层上方，所述屏蔽栅多晶硅形成于所述屏蔽栅厚介质层沟槽内；在所述栅介质层两侧形成阱，并在所述阱上方形成源极；在所述源极、所述阱、所述栅多晶硅和所述屏蔽栅多晶硅的上表面沉积接触孔介质层；刻蚀所述接触孔介质层，使得所述阱、所述栅多晶硅和所述屏蔽栅多晶硅上方形成接触孔；在所述衬底的背面形成背面金属，并在所述接触孔中填充正面金属。

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