恭喜华虹半导体(无锡)有限公司许昭昭获国家专利权
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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114447104B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210104709.0,技术领域涉及:H10D62/10;该发明授权超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法是由许昭昭;陈正嵘设计研发完成,并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法,其中方法包括:采用硬质掩膜加光刻胶掩膜的结构作为掩膜形成高能量注入区,再采用剩余厚度的掩膜结构和第三氧化硅层作为掩膜形成低能量注入区,且高能量注入区和低能量注入区的注入自对准形成,其中,各所述低能量注入区与所述栅介质层之间的距离大于各所述高能量注入区与所述栅介质层之间的距离。本申请通过利用剩余厚度的掩膜结构和第三氧化硅层作为掩膜注入形成低能量注入区,使得低能量注入区的注入的开口减小,使得低能量注入区相较于高能量注入区更加远离栅介质层,这样可以改善积累区沟槽栅与外延层的交叠处的导通电阻,从而降低了器件的导通电阻,提高了器件的可靠性和安全性。
本发明授权超级结沟槽栅MOSFET及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种超级结沟槽栅MOSFET的制备方法,其特征在于,包括:提供一衬底,所述衬底的正面形成有外延层,所述外延层中形成有沟槽,所述沟槽中形成有栅介质层和沟槽栅,所述栅介质层覆盖所述沟槽的底壁和侧壁,所述沟槽栅覆盖所述栅介质层并填充所述沟槽,所述外延层中还形成有体区,所述体区的上表面与所述外延层的上表面齐平;依次形成第一氧化硅层和氮化硅层,所述第一氧化硅层覆盖所述体区、所述栅介质层和所述沟槽栅,所述氮化硅层覆盖所述第一氧化硅层;形成掩膜结构,所述掩膜结构位于所述沟槽栅上方的所述氮化硅层上;采用离子注入工艺在所述掩膜结构两侧的所述外延层中形成两个高能量注入区,所述高能量注入区靠近所述外延层的下表面;去除部分厚度的所述掩膜结构并形成第三氧化硅层,所述第三氧化硅层覆盖剩余厚度的所述掩膜结构和所述氮化硅层;采用离子注入工艺在剩余厚度的所述掩膜结构两侧的所述外延层、所述体区中形成两个低能量注入区,所述低能量注入区位于所述高能量注入区上;去除所述第三氧化硅层、剩余厚度的所述掩膜结构和所述氮化硅层;采用离子注入工艺在所述体区中形成重掺杂区;形成层间介质层,所述层间介质层覆盖所述栅介质层、所述沟槽栅和所述重掺杂区的部分表面;以及,形成源端金属层和漏端金属层,所述源端金属层覆盖所述层间介质层和所述重掺杂区的剩余表面,所述漏端金属层覆盖所述衬底的背面;其中,各所述低能量注入区与所述栅介质层之间的距离大于各所述高能量注入区与所述栅介质层之间的距离。
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