恭喜中国科学院合肥物质科学研究院唐海宾获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种基于碳六元环结构的复合SERS基底及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114563388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210167009.6，技术领域涉及：G01N21/65；该发明授权一种基于碳六元环结构的复合SERS基底及其制备方法和应用是由唐海宾;毕全瑞;孟国文设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于碳六元环结构的复合SERS基底及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于碳六元环结构的复合SERS基底及其制备方法和应用，是先将PAN溶液旋涂在硅片或硅纳米阵列模板上，烘干、揭膜，得到PAN薄膜或PAN有序阵列薄膜，再将PAN薄膜或PAN有序阵列薄膜加热碳化以形成碳六元环结构，最后修饰金或银纳米颗粒，即获得基于碳六元环结构的复合SERS基底。本发明制备的复合SERS基底，利用其碳六元环结构的p‑π、π‑π共轭效应实现各类有机物在其表面的吸附，达到有机物高效富集的作用，显著降低了有机污染物的检测极限，可实现对痕量有机污染物的高效、快速检测。
本发明授权一种基于碳六元环结构的复合SERS基底及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于碳六元环结构的复合SERS基底的制备方法，其特征在于：以PAN粉末为原料、DMF为溶剂，配置PAN溶液；将所述PAN溶液旋涂在硅片或硅纳米阵列模板上，放在烘箱中加热烘干，待自然冷却至室温后揭膜，得到PAN薄膜或PAN有序阵列薄膜；将所述PAN薄膜或PAN有序阵列薄膜加热碳化，形成碳六元环结构，获得碳化膜；再在所述碳化膜上修饰金或银纳米颗粒，即获得基于碳六元环结构的复合SERS基底。
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