恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司姜滔获国家专利权
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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210233438.9，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法是由姜滔;肖选科设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一缓冲层、第一保护层、导电组合层和导电凸块，通过在芯片的一侧依次设置第一缓冲层、第一保护层，并在第一导电开口内设置导电组合层，最后在导电组合层上完成导电凸块的制作，其中，通过在第一缓冲层上设置第一缓冲层，能够有效地对导电组合层进行缓冲，降低焊接脱落概率。同时，通过设置第一凹槽，使得导电组合层延伸至第一凹槽内，从而大幅提升了导电组合层与第一缓冲层之间的结合力，进而提升了导电凸块与芯片之间的结合力，避免出现导电凸块掉落的问题，保证了结构的可靠性。
本发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括：在一侧设置有焊盘的芯片；设置在所述芯片的一侧，并至少局部包覆所述焊盘的第一缓冲层；设置在所述第一缓冲层上的第一保护层，所述第一保护层上设置有与所述焊盘对应的第一导电开口，所述第一导电开口贯穿所述第一保护层和所述第一缓冲层，并暴露所述焊盘；设置在所述第一导电开口内，并与所述焊盘电连接的导电组合层；以及，设置在所述导电组合层上的导电凸块；其中，所述第一缓冲层向着所述第一导电开口部分延伸，并在所述第一导电开口内形成与所述第一保护层和所述焊盘相接的第一台阶结构，所述第一台阶结构上还设置有第一凹槽，所述导电组合层延伸至所述第一凹槽内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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