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龙图腾网恭喜甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597136B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210231090.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法是由姜滔;肖选科设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该凸块封装结构包括芯片、第一保护层、第二保护层、第三保护层、导电金属层、导电凸块和焊帽，第一保护层设置有第一开口，第二保护层设置有第二开口，通过在第三保护层上设置第三开口，锡球焊接时能够起到加强焊接结构强度的作用，同时能够防止焊料侧翼流动，避免桥接问题。同时，在电镀锡层后，针对基板焊接时，当焊盘为线路或焊球时，第三保护层可以限制焊料流动，并且回流过程中、焊接在基板过程后进行底部填充胶时，底部胶层可以通过毛细作用更好地填充进第三开口中，从而提升了焊接效果。

本发明授权凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种凸块封装结构，其特征在于，包括：在一侧设置有焊垫的芯片；设置在所述芯片一侧的第一保护层，所述第一保护层包覆在所述焊垫外，且所述第一保护层上设置有贯通至所述焊垫的第一开口；设置在所述第一保护层上的第二保护层，所述第二保护层上设置有贯通至所述第一开口的第二开口；设置在所述第二保护层上的第三保护层，所述第三保护层上设置有贯通至所述第二开口的第三开口；位于所述第一开口内，并设置在所述焊垫上的导电金属层；位于所述第二开口内，并设置在所述导电金属层上的导电凸块；以及，位于所述第三开口内，并设置在导电凸块上的焊帽；其中，所述第二保护层包覆在所述导电凸块周围，所述焊帽凸起于所述第三保护层，且所述第三开口的边缘与所述焊帽间隔设置；所述焊帽的宽度大于所述导电凸块的宽度，以使所述焊帽覆盖在所述导电凸块上，并局部覆盖在所述第二保护层上；所述第二保护层上还设置有多个第二凹槽，多个所述第二凹槽至少分布在所述导电凸块的两侧，并位于所述第三开口内，且每个所述第二凹槽均与所述焊帽间隔设置。

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