买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院金属研究所申请的专利一种银-Ti₃SiC₂电接触材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210312764.9，技术领域涉及：H01H1/0233；该发明授权一种银-Ti₃SiC₂电接触材料及其制备方法是由刘增乾;郭宇;谢曦;杨锐;张哲峰设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种银-Ti₃SiC₂电接触材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明是关于一种银‑Ti3SiC2电接触材料及其制备方法，涉及银基电接触材料技术领域。主要采用的技术方案为：一种银‑Ti3SiC2电接触材料，其为以Ti3SiC2为骨架、银渗入Ti3SiC2骨架中的三维互穿结构，且银与Ti3SiC2骨架为双连续相；其中，在银‑Ti3SiC2电接触材料中，Ti3SiC2的体积分数为50‑70％；其中，所述银‑Ti3SiC2电接触材料的维氏硬度大于1.9GPa，优选大于2GPa；所述银‑Ti3SiC2电接触材料的弯曲强度不小于520MPa，优选大于630MPa；所述银‑Ti3SiC2电接触材料的电导率大于5MSm，优选大于6.5MSm。本发明主要用于在确保银‑Ti3SiC2电接触材料的电导率的基础上，还使银‑Ti3SiC2电接触材料具有较好的力学性能。

本发明授权一种银-Ti₃SiC₂电接触材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种银-Ti3SiC2电接触材料，其特征在于，所述银-Ti3SiC2电接触材料为以Ti3SiC2为骨架、银渗入所述Ti3SiC2骨架中的三维互穿结构，且银与Ti3SiC2骨架为双连续相；其中，在所述银-Ti3SiC2电接触材料中，所述Ti3SiC2的体积分数为50-70%，其余为银；其中，所述银-Ti3SiC2电接触材料的维氏硬度大于1.9GPa；所述银-Ti3SiC2电接触材料的弯曲强度不小于520MPa；所述银-Ti3SiC2电接触材料的电导率大于5MSm；所述银-Ti3SiC2电接触材料的制备方法，包括如下步骤：制备Ti3SiC2骨架步骤：将Ti3SiC2粉末填入模具，在保护气氛或真空条件下，进行烧结处理，得到Ti3SiC2骨架；其中，烧结处理温度为800-1500℃、烧结处理压力大于0、小于等于2t，所述烧结处理时间为1-3h；熔体浸渗处理步骤：对Ti3SiC2骨架、银块进行熔体浸渗处理，设定时间后，得到银-Ti3SiC2电接触材料；其中，Ti3SiC2骨架是由纳米级Ti3SiC2粉体或微米级Ti3SiC2粉体制成；当Ti3SiC2骨架是由纳米级Ti3SiC2粉体制成，则在所述银-Ti3SiC2电接触材料中：Ti3SiC2的体积分数为59-67%；所述纳米级Ti3SiC2粉体的粒径为300-1600nm；当Ti3SiC2骨架是由微米级Ti3SiC2粉体制成，则在所述银-Ti3SiC2电接触材料中：Ti3SiC2的体积分数为59-70%；所述微米级Ti3SiC2粉体的粒径为5-66.5微米。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院金属研究所，其通讯地址为：110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。