恭喜南亚科技股份有限公司李维中获国家专利权
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龙图腾网恭喜南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169117B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210319240.2，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权半导体结构是由李维中;丘世仰设计研发完成，并于2022-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构包括基板、第一及第二晶体管、第一及第二熔丝、接触结构以及介电层。基板具有第一及第二元件区域，以及熔丝区域。第一晶体管与第二晶体管分别位于第一元件区域与第二元件区域上。第一熔丝电性连接至第一晶体管且包括具有第一部分与第二部分的第一熔丝主动区域。第二熔丝电性连接至第二晶体管且包括具有第三部分与第四部分的第二熔丝主动区域。接触结构互连第二部分与第三部分，其中第一部分与第四部分位于接触结构的相对侧上。介电层位于接触结构与基板的熔丝区域之间。借此，本揭露的半导体结构，可以减少半导体结构的特征尺寸，从而增加积体密度。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：基板，具有第一元件区域、第二元件区域以及熔丝区域；第一晶体管，位于该基板的该第一元件区域上；第二晶体管，位于该基板的该第二元件区域上；第一熔丝，电性连接至该第一晶体管且位于该熔丝区域，该第一熔丝包含第一熔丝主动区域，该第一熔丝主动区域具有第一部分与第二部分；第二熔丝，电性连接至该第二晶体管且位于该熔丝区域，该第二熔丝包含第二熔丝主动区域，该第二熔丝主动区域具有第三部分与第四部分；接触结构，互连该第一熔丝主动区域的该第二部分与该第二熔丝主动区域的该第三部分，其中该第一熔丝主动区域的该第一部分与该第二熔丝主动区域的该第四部分位于该接触结构的相对侧上；以及介电层，位于该接触结构与该基板的该熔丝区域之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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