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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211041122.6，技术领域涉及：G01R31/40；该发明授权一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路是由周泽坤;何金阳;林镇熙;王卓;张波设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路在说明书摘要公布了：本发明属于电源管理技术领域，具体涉及一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路。本发明主要设计实现了一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路，为了防止采样电容在较小关断时间内充电时间不够的问题，该电路增加瞬态增强电路对采样电容进行预充电，经过缓冲器和Cdelay和Rdelay延迟的电压信号，与原信号之间形成的压差使第二比较器翻转，从而在前沿消隐阶段对采样电容Cdelay进行预充电，从而减小采样电容Cdelay对充电时间的需求。相比于传统采样保持和膝点检测电路能获得更准确的膝点电压。

本发明授权一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路在权利要求书中公布了：1.一种具有自适应预充电能力的采样保持与膝点检测电路，用于检测原边反馈反激式变换器在副边电感电流为零时的膝点电压，其特征在于，包括缓冲器、第一比较器、第二比较器、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第一电阻、第一电容、第二电容、第一电压源、第二电压源和电流源；所述缓冲器的同相输入端接反馈电压，其反相输入端接其输出端，缓冲器的输出端依次通过第一电阻和第一电容后接地，将缓冲器的使能信号定义为第一使能信号，缓冲器输出电压Vbuf定义为缓冲电压，第一电阻和第一电容连接点的电压Vdelay定义为延迟电压；所述第一比较器的同相输入端接缓冲电压，其反相输入端接第一电压源的正端，电压源的负端接反馈电压，将第一比较器的使能信号定义为第二使能信号，输出电压COMP_knee定义为判断电压，所述第一电压源产生固定失调电压；所述第二比较器的同相输入端接延迟电压，其反相输入端接第二电压源的正端，电压源的负端接反馈电压，第二比较器的使能信号为第二使能信号，输出电压precharge定义为预充电电压，所述第二电压源产生固定失调电压；所述第一NMOS管的漏极接延迟电压，其栅极接第三使能信号；所述第二NMOS管的源极和漏极接第一NMOS管的源极，第二NMOS管的栅极接第三使能信号的反向信号，第一NMOS管源极与第二NMOS管源漏极的连接点通过第二电容后接地，将第一NMOS管源极、第二NMOS管源漏极、第二电容的连接点的输出电压定义为膝点电压保持电压；所述第三NMOS管的漏极接第一电阻、第一电容和第一NMOS管漏极的连接点，第三NMOS管的栅极接PWM脉冲信号，第三NMOS管的源极接地；当原边导通时，脉冲信号为高电平，第三NMOS管打开，当副边导通时，脉冲信号为低电平，第三NMOS管关断；所述第一PMOS管的漏极接第一电阻、第一电容和第一NMOS管漏极的连接点，第一PMOS管的栅极接预充电电压，第一PMOS管的源极接电流源的正端，电流源的负端接电源轨；当副边导通且反馈电压上升的时期，第一使能信号控制缓冲器开启，第二使能信号控制第一、第二比较器关断，使缓冲电压一直跟随反馈电压，从而更新第一电容的电压值；当反馈电压进入平台期后，第二使能信号控制第一、第二比较器开启，当在前沿消隐时间内，若延迟电压小于反馈电压，则第二比较器翻转，第一PMOS管打开对第一电容进行充电，若延迟电压被充到反馈电压，则第二比较器再次翻转，控制第一PMOS管关断，电流源不再对第一电容充电；在膝点到达时，第一比较器翻转，判断电压由低电位翻转为高电位，第三使能信号对应翻高，第一NMOS管打开进行采样，第一电容的电荷分享到第二电容，第一使能信号控制缓冲器关断使得延迟电压保持膝点电压；经过一个窄脉冲时间之后，第三使能信号翻低，第一NMOS管关断而第二NMOS管开启，并且第二使能信号控制第一比较器关断，第一使能信号控制缓冲器开启。

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