买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115494366B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211139481.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法是由王政;沈寅禛;徐阳设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法，属于电力电子技术和电工技术领域。针对现实中大部分直流电源虽然有恒流输出模式，但其输出电压不能跟随负载变化，无法作为理想电流源进行传统电流源型双脉冲实验的问题，提出了一种用于电流源型逆变器的电压反向阻断型碳化硅组合器件双脉冲测试的测试电路和方法。本发明所提出的一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法采用电压型电源和大电感串联的等效方式，通过对电感和电容预充电准确控制电压反向阻断型碳化硅组合器件的电压和负载电流。设计了电感续流路径，实验结束后实现对电感上能量的自动释放，该方法能有效反应电压反向阻断组合器件的开关特性。

本发明授权一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅组合器件双脉冲测试电路，其特征在于，包括直流电源Vdc1与大电容Cdc并联连接，用于给被测器件提供稳定电压，全控型开关管Sdc接于大电容Cdc与电感Ldc之间，控制直流电源Vdc1是否给电感Ldc供电；二极管Df阴极与开关管Sdc源极相接、阳极与直流电源Vdc1负极相接，为电感Ldc续流提供路径；SiCMOSFETS1与SiC肖特基二极管D1串联连接，组成具有反向电压阻断功能的第一开关管，SiCMOSFETS3与SiC肖特基二极管D3组成第三开关管，第一开关管与第三开关管并联连接，第一、第三开关管为被测器件；电容C接于第一、第三开关管之间，等效电流源型逆变器交流侧的滤波电容；手动开关Sc与直流电源Vdc2串联，接于电容C两端，用于给电容C预充电；手动开关Sd与电阻Rd串联，接于电容C两端，用于给电容C放电。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学，其通讯地址为：210096 江苏省南京市玄武区新街口街道四牌楼2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。