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龙图腾网恭喜爱思开迈克沃有限公司申请的专利薄膜、多层电子设备及薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116478399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211223254.0，技术领域涉及：C08G73/10；该发明授权薄膜、多层电子设备及薄膜的制备方法是由金汉俊;李镇龙;李辰雨;吴大成设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜、多层电子设备及薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本实施方式提出一种薄膜、包括该薄膜的多层电子设备及薄膜的制备方法，上述薄膜因包括聚酰亚胺层而耐热性、光学特性、附着力等均优异，因此宜用作可折叠显示器的支撑层等。上述薄膜包括含有芳香族二胺化合物残基和芳香族二酐化合物残基的聚酰亚胺层。基于50μm的厚度，上述聚酰亚胺层具有3Nm至4.5Nm的环刚度值。本实施方式提供一种因具有优异的折叠回弹性而更有利于用于可折叠或可卷曲显示器等的薄膜等。此外，提供一种薄膜等，因耐热性、光学特性、附着力等均优异而宜用作可折叠显示器的支撑层等。

本发明授权薄膜、多层电子设备及薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜，其特征在于，包括含有芳香族二胺化合物残基和芳香族二酐化合物残基的聚酰亚胺层，基于50μm的厚度，上述聚酰亚胺层具有3Nm至4.5Nm的环刚度值，上述芳香族二胺化合物残基包括2,2’-双三氟甲基-4,4’-二氨基联苯残基，上述芳香族二酐化合物残基包括2,2-双3,4-二羧基苯基六氟丙烷二酐、联苯四羧酸二酐残基和均苯四酸二酐残基，上述聚酰亚胺层的热膨胀系数为10ppm℃以上且35ppm℃以下，上述聚酰亚胺层根据下述第一式的耐热稳定性指数即HS指数为5℃2ppm·MPa至15℃2ppm·MPa：第一式 在第一式中，上述HS指数为耐热稳定性指数，其单位为℃2ppm·MPa，上述Tg为玻璃化转变温度，其单位为℃，上述H为上述聚酰亚胺层的热膨胀系数值，其单位为ppm℃，上述RS为上述聚酰亚胺层的残余应力值，其单位为MPa；上述聚酰亚胺层的由下述第二式表示的综合指数为2℃2ppm以上：第二式 在第二式中，上述T指数为综合指数，上述Tg为玻璃化转变温度，其单位为℃，上述YI为上述聚酰亚胺层的10μm厚度处的黄度值，上述H为上述聚酰亚胺层的热膨胀系数值，其单位为ppm℃。

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