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龙图腾网恭喜南京航空航天大学申请的专利一种贴片式压电抑振结构及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115596797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211266522.7，技术领域涉及：F16F15/00；该发明授权一种贴片式压电抑振结构及其控制方法是由祁瑞;王亮;朱春玲;金家楣;葛宇宁设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种贴片式压电抑振结构及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种贴片式压电抑振结构及其控制方法，贴片式压电抑振结构包括若干设置在抑振对象上的抑振单元；抑振单元包括压电体、压电传感器和控制模块；压电体、压电传感器均采用压电材料，对称设置在抑振对象两侧；控制模块包含N型mos管、NPN型三极管、P型mos管、PNP型三极管、第一二极管、第二二极管和调节电阻。本发明通过改变系统的刚度达到减小振动幅度的目的，且无需系统外的能源输入和控制，采用被动控制方式，使得结构简单、可靠性强、环保等，在航空航天等领域和振动高发领域具有极大的应用前景。

本发明授权一种贴片式压电抑振结构及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种贴片式压电抑振结构，其特征在于，包括若干设置在抑振对象上的抑振单元；所述抑振单元包括压电体、压电传感器和控制模块；所述压电体、压电传感器均采用压电材料，对称设置在抑振对象两侧，均沿厚度方向极化，当需要对抑振对象的纵向振动进行抑制时，压电体、压电传感器的极化方向相反；当需要对抑振对象的弯曲振动进行抑制时，压电体、压电传感器的极化方向相同；所述控制模块包含N型mos管、NPN型三极管、P型mos管、PNP型三极管、第一二极管、第二二极管和调节电阻；所述N型mos管的源极分别和P型mos管的源极、压电体靠近抑振对象的一侧相连后接地；所述压电体远离抑振对象的一侧分别和N型mos管的漏极、P型mos管的漏极相连；所述NPN型三极管的发射极和所述P型mos管的栅极相连，NPN型三极管的集电极分别和所述压电传感器靠近抑振对象的一侧、PNP型三极管的集电极相连后接地，NPN型三极管的基极和所述第一二极管的负极相连；所述PNP型三极管的发射极和所述N型mos管的栅极相连，PNP型三极管的基极和所述第二二极管的正极相连；所述第一二极管的正极分别和所述第二二极管的负极、调节电阻的一端相连；所述调节电阻的另一端和所述压电传感器远离抑振对象的一侧相连。

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