买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115592829B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211329730.7，技术领域涉及：B28D5/00；该发明授权一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体是由皮孝东;熊慧凡;宋立辉;徐所成;杨德仁设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体在说明书摘要公布了：本发明涉及籽晶技术领域，特别涉及一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体。拼接结构从三个选定好的切割方向对籽晶进行切割，从而保持拼接后的碳化硅晶体各部分处于同一晶向，并且在切割处进行特定的磨角处理，不仅实现了大尺寸籽晶成功拼接，同时也消除裂缝在碳化硅单晶生长中的继承效应。本发明中的拼接结构适用于6英寸衬底到8英寸衬底的扩径，8英寸衬底到12英寸衬底等衬底尺寸扩径。利用该拼接结构扩径生长后的碳化硅晶锭处于同一晶向，减少晶界的产生，且经过磨角处理后，减小拼接处裂缝的影响，保证了生长出晶锭的上部分晶体的质量；并且扩径程度大，满足各种尺寸碳化硅的扩径需求。

本发明授权一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构、制作方法及碳化硅晶体在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅籽晶扩径的拼接结构，其特征在于，包括：6个顶角为60°的扇形结构的籽晶拼接片，所述籽晶拼接片基于对6片完全相同的小籽晶片沿不同晶面方向切割形成，所述扇形结构为沿等长的切割边切割小籽晶片形成的扇形结构，所述顶角为60°的扇形结构的籽晶拼接片与小籽晶片内切，且所述6个顶角为60°的扇形结构的籽晶拼接片拼接后形成的整个拼接结构为同一晶面方向，其中，所述籽晶拼接片分别为第一籽晶拼接片~第六籽晶拼接片，所述第一籽晶拼接片~第六籽晶拼接片的晶面具有三个晶面切割方向，所述晶面切割方向分别为第一晶面切割方向、第二晶面切割方向、第三晶面切割方向，相邻的所述籽晶拼接片的切割边具有相同的晶面切割方向，所述第一籽晶拼接片具有第一晶面切割方向和第二晶面切割方向，所述第二籽晶拼接片具有第二晶面切割方向和第三晶面切割方向，所述第三籽晶拼接片具有第三晶面切割方向和第一晶面切割方向，所述第四籽晶拼接片具有第一晶面切割方向和第二晶面切割方向，所述第五籽晶拼接片具有第二晶面切割方向和第三晶面切割方向，所述第六籽晶拼接片具有第三晶面切割方向和第一晶面切割方向；所述籽晶拼接片的切割边具有磨角结构，每一片所述籽晶拼接片的2条切割边，均为一边向上磨角，一边向下磨角，所述向上磨角与所述向下磨角的角度相等，相邻的所述籽晶拼接片的切割边一条为上磨角，另一条为向下磨角，所述向上磨角与所述向下磨角相贴合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。