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龙图腾网恭喜成都天马微电子有限公司申请的专利一种移相器及天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211338928.1，技术领域涉及：H01P1/18；该发明授权一种移相器及天线是由韩笑男;贾振宇;邢一凡;林柏全;王林志;刘桢;席克瑞;亓西敏;段勤肄;杨作财设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种移相器及天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种移相器及天线，其中，移相器包括至少一个移相单元，移相单元包括接地金属层和移相器走线，移相器走线上串联有至少一个半导体结构，半导体结构包括半导体层、第一金属层和第二金属层；第一金属层位于半导体层和接地金属层之间，且第一金属层与半导体层之间绝缘，沿第一基板的厚度方向，半导体层、第一金属层和第二金属层存在交叠区域，半导体层的介电常数根据施加到第一金属层上的第一电压而改变。本发明实施例提供的移相器及天线，无需使用液晶来调节相位，提升了响应速度，同时无需成盒，只需要单基板，整体厚度低、工序少、良率高，并可利用面板工艺制备，工艺成熟，便于批量生产。

本发明授权一种移相器及天线在权利要求书中公布了：1.一种移相器，其特征在于，包括：第一基板；至少一个移相单元，所述移相单元设置于所述第一基板上；所述移相单元包括接地金属层和移相器走线，所述移相器走线上串联有至少一个半导体结构；所述移相器走线和所述半导体结构位于所述第一基板的同一侧；所述接地金属层位于所述第一基板的一侧；所述移相器走线与所述接地金属层之间绝缘，且沿所述第一基板的厚度方向，所述移相器走线与所述接地金属层至少部分交叠；所述半导体结构包括半导体层、第一金属层和第二金属层；所述第一金属层位于所述半导体层和所述接地金属层之间，且所述第一金属层与所述半导体层之间绝缘；至少部分所述第二金属层位于所述半导体层远离所述第一金属层的一侧，且所述第二金属层与所述半导体层至少部分接触连接；沿所述第一基板的厚度方向，所述半导体层、所述第一金属层和所述第二金属层存在交叠区域；所述半导体层的介电常数根据施加到所述第一金属层上的第一电压而改变。

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