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龙图腾网恭喜南京中科微电子有限公司申请的专利一种低功耗的低压差稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115617109B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211339687.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种低功耗的低压差稳压器是由李景旺;于云丰设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗的低压差稳压器在说明书摘要公布了：本发明属于模拟集成电路设计技术领域，尤其涉及一种低功耗的低压差稳压器。包括基准电路和交叉耦合式LDO电路，基准电路的输出端与交叉耦合式LDO电路的输入端连接；基准电路能够为交叉耦合式LDO电路提供nA级别的静态电流和基准电压；交叉耦合式LDO电路将基准电路输入的基准电压稳定输出至交叉耦合式LDO电路的输出端。本发明采用了基准电路和交叉耦合式LDO电路，通过基准电路能够为交叉耦合式LDO电路提供nA级别的静态电流，从而降低低压差稳压器中的静态电流，实现低压差稳压器的低功耗，交叉耦合式LDO电路通过交叉耦合结构将基准电路输入的电压转换到输出端，电路中不使用电阻，从而实现小版图。

本发明授权一种低功耗的低压差稳压器在权利要求书中公布了：1.一种低功耗的低压差稳压器，其特征在于，包括基准电路（21）和交叉耦合式LDO电路（22），所述基准电路的输出端与所述交叉耦合式LDO电路的输入端连接；所述基准电路（21）能够为所述交叉耦合式LDO电路（22）提供nA级别的静态电流和基准电压；所述交叉耦合式LDO电路（22）通过交叉耦合结构将基准电路（21）输入的基准电压稳定输出至交叉耦合式LDO电路的输出端；所述交叉耦合式LDO电路（22）包括第十二MOS管（M12）、第十三MOS管（M13）、第十四MOS管（M14）、第十五MOS管（M15）、第十六MOS管（M16）、第十七MOS管（M17）、第十八MOS管（M18）、第十九MOS管（M19）、第二十MOS管（M20）、第二十一MOS管（M21）、第二十二MOS管（M22）、第二十三MOS管（M23）、第二十四MOS管（M24）；所述第十四MOS管（M14）的源极分别连接所述第十五MOS管（M15）的源极、第十六MOS管（M16）的源极和基准电路（21），所述第十四MOS管（M14）的栅极分别连接第十五MOS管（M15）的栅极和漏极，所述第十四MOS管（M14）的漏极分别连接第十八MOS管（M18）的漏极和栅极，所述第十八MOS管（M18）的源极连接信号地；所述第十五MOS管（M15）的源极分别连接第二十四MOS管（M24）的漏极和第十七MOS管（M17）的源极并作为交叉耦合式LDO电路的输出端，所述第十二MOS管（M12）的漏极连接所述第十五MOS管（M15）的漏极，第十二MOS管（M12）的栅极连接第十三MOS管（M13）的栅极和基准电路（21），所述第十二MOS管（M12）的源极连接信号地；所述第十六MOS管（M16）的栅极与漏极均连接所述第十七MOS管（M17）的栅极，所述第十三MOS管（M13）的漏极连接第十六MOS管（M16）的漏极，所述第十三MOS管（M13）的源极连接信号地；所述第二十四MOS管（M24）的源极连接供电电源，第二十四MOS管（M24）的栅极连接所述第二十二MOS管（M22）的漏极，所述第十七MOS管（M17）的漏极连接所述第二十MOS管（M20）的漏极和栅极，第二十MOS管（M20）的源极连接信号地；所述第二十二MOS管（M22）的源极连接供电电源，所述第二十二MOS管（M22）的栅极连接第二十三MOS管（M23）的栅极和漏极，所述第二十二MOS管（M22）的漏极连接第十九MOS管（M19）的漏极，所述第十九MOS管（M19）的栅极连接第十八MOS管（M18）的栅极，第十九MOS管（M19）的源极连接信号地；所述第二十三MOS管（M23）的源极连接供电电源，所述第二十三MOS管（M23）的漏极连接第二十一MOS管（M21）的漏极，所述第二十一MOS管（M21）的栅极连接第二十MOS管（M20）的栅极，所述第二十一MOS管（M21）的源极连接信号地。

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