恭喜先导薄膜材料(广东)有限公司白平平获国家专利权
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龙图腾网恭喜先导薄膜材料(广东)有限公司申请的专利一种高纯硫化铟粉体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116177591B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211583257.5，技术领域涉及：C01G15/00；该发明授权一种高纯硫化铟粉体的制备方法是由白平平;童培云;谢小豪设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯硫化铟粉体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于精细化工领域，公开了一种高纯硫化铟粉体的制备方法，其技术方案为：以氢氧化铟粉体为原料，加热至600～800℃并保温，煅烧为蓬松的氧化铟粉体，然后在硫化氢气体氛围下加热氧化铟粉体至400～600℃并保温，反应生成硫化铟粉体。该方法过程不产生废水，对环境影响小；工艺流程短，原料氢氧化铟经分解、硫化两步即可得到硫化铟粉体；制备过程中物料不接触溶液、阴离子、有机物等，粉体中的非金属杂质元素C、N、O易控制，这是湿化学法无法达到的，并且制备得到的硫化铟粉体粒径小且纯度高。
本发明授权一种高纯硫化铟粉体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯硫化铟粉体的制备方法，其特征在于，以氢氧化铟粉体为原料，维持气压为60kPa加热至600℃并保温煅烧为蓬松的氧化铟粉体，保温时间与氢氧化铟粉体的质量有关，为0.4~0.6kgh；然后在硫化氢气体氛围下加热氧化铟粉体至400℃并保温反应生成硫化铟粉体，保温时间与氧化铟粉体的质量有关，为0.2~0.4kgh；所述反应结束后，在保持温度不变情况下，通入氢气使生成的硫化铟粉体脱氧，氢化时间为8~10h。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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