恭喜郑州磨料磨具磨削研究所有限公司刘晖获国家专利权
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龙图腾网恭喜郑州磨料磨具磨削研究所有限公司申请的专利一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115726034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211647886.X，技术领域涉及：C30B29/04；该发明授权一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法是由刘晖;周文涛;吴晓磊;徐帅;潘红星;闫建明;曹博伦设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法，通过化学气相沉积在衬底表面沉积生长形成一次外延层，再用激光将多个衬底正交交点处的晶体缺陷去除并形成矩形槽；通过常规清洗和离子清洗去除拼接晶体一次外延层表面的污染物后，通过化学气相沉积在一次外延层表面生长单晶金刚石二次外延层；采用该方法拼接生长后能够得到拼接晶体多个衬底正交交点处无晶体缺陷的大尺寸单晶金刚石拼接晶体。
本发明授权一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法在权利要求书中公布了：1.一种二次外延提高大尺寸单晶金刚石接缝质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）选取4-16片主表面是100取向的单晶金刚石作为衬底，并进行超声清洗后，随后将单晶金刚石衬底紧密摆放后放入微波等离子体设备的样品台中，抽真空后通入反应气体，在衬底表面化学气相沉积生长单晶金刚石一次外延层；（2）将激光器焦点聚焦在多片单晶金刚石衬底正交交点处，使用激光在一次外延层衬底正交交点处的缺陷位置刻蚀矩形微槽；（3）对激光处理后的拼接晶体进行常规清洗，随后再对拼接晶体一次外延层表面进行离子清洗，去除激光烧蚀产生的污染物；（4）将刻槽处理后的拼接晶体放入微波等离子体设备的腔体中，在一次外延层表面化学气相沉积生长单晶金刚石二次外延层，实现大尺寸高质量单晶金刚石拼接生长。
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