恭喜南京工业大学;南京膜材料产业技术研究院有限公司储震宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜南京工业大学;南京膜材料产业技术研究院有限公司申请的专利一种乙醇生物传感电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115856053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211703264.4,技术领域涉及:G01N27/327;该发明授权一种乙醇生物传感电极及其制备方法和应用是由储震宇;李舒晗;金万勤;庞军设计研发完成,并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种乙醇生物传感电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种乙醇生物传感电极及其制备方法和应用。本申请中,乙醇生物传感电极的制备方法,包括以下步骤:S1基于三维金纳米阵列修饰的导电基底的制备;S2普鲁士蓝三维金纳米花阵列修饰的导电基底的制备;S4乙醇生物传感电极的制备。本申请制备的乙醇生物传感电极能够进行原位检测,且时效性好、抗干扰能力强。
本发明授权一种乙醇生物传感电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种乙醇生物传感电极的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:S1基于三维金纳米阵列修饰的导电基底的制备:1-1由氯金酸、络合剂和溶剂制备酸性的电沉积液;1-2将固定于三电极体系上的导电基底浸泡在电沉积液中,进行恒电位电沉积,而后,取出导电基底并冲洗,恒温干燥后,得到基于三维金纳米阵列修饰的导电基底;S2普鲁士蓝三维金纳米花阵列修饰的导电基底的制备:2-1由过渡金属盐溶液、表面活性剂和过渡金属氰化钾反应液制备普鲁士蓝反应溶液;2-2将固定于三电极体系上的三维金纳米阵列修饰的导电基底浸泡在普鲁士蓝反应溶液中,而后进行循环伏安法电沉积,而后,取出导电基底并冲洗,恒温干燥,获得基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列修饰的导电基底;S3基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电基底的制备:将基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列修饰的导电基底浸泡在L-半胱氨酸溶液中,一段时间后取出晾干,得基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电基底;S4乙醇生物传感电极的制备:将乙醇氧化酶溶液通过交联法或者包埋法固定于基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电基底上,低温干燥,得表面具有乙醇氧化酶的导电基底即乙醇生物传感电极;步骤S4中,将乙醇氧化酶溶液通过交联法固定于步骤S3得到的基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电基底上的步骤为:将乙醇氧化酶用PBS缓冲液作为溶剂配制乙醇氧化酶溶液,而后加入戊二醛水溶液,得交联溶液;然后将交联溶液滴涂于基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电玻璃的表面上,低温干燥,得表面具有乙醇氧化酶的导电基底即乙醇生物传感电极;步骤S4中,将乙醇氧化酶溶液通过交联法固定于步骤S3得到的基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电基底上的步骤为:配制含有EDC·HCl和NHS的溶液,而后将基于普鲁士蓝三维金纳米花阵列L-半胱氨酸修饰的导电基底浸泡于含有EDC·HCl和NHS的溶液中,一段时间后取出,得预处理修饰电极,低温存储;而后将乙醇氧化酶利用PBS缓冲液作为溶剂配制乙醇氧化酶溶液,而后取乙醇氧化酶溶液滴加在预处理修饰电极的表面,低温干燥;而后滴加Nafion膜溶液,低温干燥,得表面具有乙醇氧化酶的导电基底即乙醇生物传感电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人南京工业大学;南京膜材料产业技术研究院有限公司,其通讯地址为:211800 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。