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龙图腾网恭喜普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利电压源电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116107378B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310257947.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权电压源电路是由周宁;陈涛设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压源电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电压源电路，包括：第一NMOS管，源极和地之间连接有第一下拉路径，栅极输出驱动电压，第一下拉路径具有多个二极管连接的MOS晶体管；第一NMOS管的栅极连接漏极并连接第一电流源；由第二NMOS管组成的驱动管，栅极连接所述驱动电压，源极为输出电压的输出端，源极和地之间连接有和第一下拉电路镜像的第二下拉路径。负反馈路径，包括：采样管，采样驱动管的源漏电流；第一镜像电路，提供第二输入电流输入到第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源漏电流由所述第一输入电流和所述第二输入电流叠加而成，当负载电流增加时，第二输入电流也增加并使驱动电压增加，防止输出电压降低。本发明能防止输出电压随负载电流增加而降低。

本发明授权电压源电路在权利要求书中公布了：1.一种电压源电路,其特征在于,包括：第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极和地之间连接有第一下拉路径，所述第一NMOS管的栅极输出驱动电压；所述第一下拉路径具有多个二极管连接的MOS晶体管；所述第一NMOS管的栅极连接漏极，所述第一NMOS管的漏极连接第一电流源，所述第一电流源提供固定大小的第一输入电流；由第二NMOS管组成的驱动管，所述驱动管的栅极连接所述驱动电压，所述驱动管的源极为输出电压的输出端；所述驱动管的漏极连接电源电压；所述驱动管的源极和地之间连接有第二下拉路径，所述第二下拉路径和所述第一下拉路径互为镜像；所述输出电压用于提供外部负载，所述驱动管的源漏电流随负载电流的增加而增加；负反馈路径，包括：采样管，所述采样管的源漏电流为采样电流，所述采样电流为所述驱动管的源漏电流的镜像电流；第一镜像电路，所述第一镜像电路提供第二输入电流，所述第二输入电流为所述采样电流的镜像电流，所述第二输入电流输入到所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源漏电流由所述第一输入电流和所述第二输入电流叠加而成；当所述负载电流增加时，所述第二输入电流也增加，使所述第一NMOS管的源漏电流也增加并从而使所述第一NMOS管的栅源电压增加，从而提升所述第一NMOS管的栅极输出的所述驱动电压，从而提高所述驱动管的驱动能力，防止所述输出电压随所述负载电流增加而降低。

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