买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜浙江桦茂科技有限公司申请的专利一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116445886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310291059.X，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法是由余国旭;薄一恒;徐如颜设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法，以经过预处理的单晶硅片为衬底，利用热丝化学气相沉积法在衬底的一侧依次沉积微米金刚石层、金刚石过渡层和纳米金刚石层，然后采用离子注入的方法，在纳米金刚石层中注入施主杂质离子，经真空退火、清洗及干燥，即得。本发明通过材料选择、结构优化及工艺控制，使各层之间优势互补，消减内应力，提高涂层与基体、涂层间的结合强度，进而提高金刚石复合涂层的机械性能；在金刚石涂层中引入杂质元素，在尽量减少金刚石晶格畸变的情况下，增加了材料的机械性能和沉积速度，并使涂层具有较高的霍尔迁移率和载流子浓度。

本发明授权一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法在权利要求书中公布了：1.一种稳定快速沉积CVD金刚石的方法，其特征在于，以经过预处理的单晶硅片为衬底，利用热丝化学气相沉积法在衬底的一侧依次沉积微米金刚石层、金刚石过渡层和纳米金刚石层，然后采用离子注入的方法，在纳米金刚石层中注入施主杂质离子，经真空退火、清洗及干燥，即得CVD金刚石；包括以下步骤：S1、预处理：对单晶硅片进行研磨、清洗及干燥，得到衬底；S2、沉积微米金刚石层：以丙酮、氢气、氩气、硼源、硅源的混合气体为生长气源，在步骤S1所得衬底表面沉积微米金刚石层，其中衬底温度为700-750℃，反应压力为800-1200Pa，沉积时间为1.5-2.5h，生长气源总流量为450-600sccm，氩气体积占生长气源总体积的26-29％；S3、沉积金刚石过渡层：以丙酮、氢气、氩气、氮源的混合气体为生长气源，在微米金刚石层表面沉积金刚石过渡层，其中衬底温度为720-770℃，反应压力为800-1200Pa，沉积时间为1-1.5h，生长气源总流量为450-600sccm，氩气体积占生长气源总体积的31-34％；S4、沉积纳米金刚石层：以丙酮、氢气、氩气的混合气体为生长气源，在金刚石过渡层表面沉积纳米金刚石层，其中衬底温度为750-800℃，反应压力为800-1200Pa，沉积时间为0.5-1h，生长气源总流量为450-600sccm，氩气体积占生长气源总体积的36-39％；S5、磷离子注入：采用离子注入的方法，在纳米金刚石层中注入磷离子，磷离子注入剂量为1010-1014cm-2，注入能量为55-85keV；S6、真空退火处理：将步骤S5所得产物置于真空加热炉内，调节真空度为3000-7000Pa，于温度900-1100℃下退火30-50min，停止加热，随炉冷却至室温；S7、清洗及干燥：将步骤S6所得产物先用丙酮清洗表面，再用75％硫酸与双氧水的混合溶液清洗5-10min，用氮气吹干，即得CVD金刚石；步骤S1中所述预处理的具体步骤为：用微米级金刚石研磨膏对单晶硅片研磨30-40min，再放入浓度为20-25％的氢氟酸溶液中浸泡15-20min，然后分别放入丙酮和乙醇溶液中超声清洗10-15min，用氮气吹干，即得；步骤S2、S3与S4中所述沉积均采用热丝化学气相沉积法，热丝功率为1700-2200W，所述丙酮均采用氢气鼓泡方式进入反应室中，氢气鼓泡过程中氢气与丙酮的流量比为20:5-8，丙酮流量为15-40sccm；其中，硼硅共掺杂和磷离子注入提高了金刚石晶体相变的可逆性和晶体结构的稳定性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江桦茂科技有限公司，其通讯地址为：324400 浙江省衢州市龙游县模环乡浙江龙游经济开发区北斗大道12号4号车间；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。