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龙图腾网恭喜拓维电子科技(上海)有限公司申请的专利LDO电路、LDO以及SOC系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116126076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310301315.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权LDO电路、LDO以及SOC系统是由刘志哲;侯瀚林;刘晓东;尹鸿杰设计研发完成，并于2023-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDO电路、LDO以及SOC系统在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种LDO电路、LDO以及SOC系统，应用于线性稳压器电路技术领域。该LDO电路包括放大器ABG、放大器Aref、放大器Ax以及LDO主体结构；放大器ABG的同相输入端与基准电流连接，反相输入端通过电阻RBG2接地并通过电阻RBG1与输出端连接；放大器Aref的同相输入端与放大器ABG的输出端连接，反相输入端通过电阻Rref2接地并通过电阻Rref1与输出端连接；放大器Ax的同相输入端与放大器ABG的输出端连接，反相输入端通过电阻Rx2接地并通过电阻Rx1与输出端连接；LDO主体结构的Vref端口与放大器Aref的输出端连接；Vx端口与放大器Ax的输出端连接；输出端与电路输出端连接。以此方式，可以进一步减小PSR参数，进而减小外部噪声对频率合成器中MulticoreVCO模块的影响。

本发明授权LDO电路、LDO以及SOC系统在权利要求书中公布了：1.一种LDO电路，其特征在于，包括：放大器ABG、放大器Aref、放大器Ax以及LDO主体结构；所述放大器ABG用于根据基准电流产生电压VBG提供给所述放大器Aref和所述放大器Ax；所述放大器Aref用于产生电压Vref提供给所述LDO主体结构；所述放大器Ax用于产生电压Vx提供给所述LDO主体结构；所述LDO主体结构用于根据电压Vref和Vx产生输出电压；所述放大器ABG的同相输入端与基准电流连接，反相输入端通过电阻RBG2接地并通过电阻RBG1与输出端连接；所述放大器Aref的同相输入端与所述放大器ABG的输出端连接，反相输入端通过电阻Rref2接地并通过电阻Rref1与输出端连接；所述放大器Ax的同相输入端与所述放大器ABG的输出端连接，反相输入端通过电阻Rx2接地并通过电阻Rx1与输出端连接；所述LDO主体结构的Vref端口与所述放大器Aref的输出端连接；Vx端口与所述放大器Ax的输出端连接；输出端与电路输出端连接；其中，所述LDO主体结构包括误差放大器AEA、晶体管ML、晶体管MY、晶体管MQ、晶体管MX、晶体管MP、反馈电阻RS、片外电容C1、等效电阻Resr以及负载电阻Rload；所述误差放大器AEA的同相输入端与所述放大器Aref的输出端连接，反相输入端通过所述反馈电阻RS与电路输出端连接，正电源端与所述放大器Ax的输出端连接，负电源端接地；所述晶体管ML的栅极与所述误差放大器AEA的输出端连接，源级接地，漏极与所述晶体管MY的源级连接；所述晶体管MY的漏极通过电阻R5与电源电压连接，栅极通过所述负载电阻Rload接地；所述晶体管MQ的源级通过电阻R4与电源电压连接，漏极通过电阻R3接地，栅极接地；所述晶体管MX的栅极通过电阻R3接地，源级与电源电压连接，漏极与电路输出端连接，衬底与所述晶体管MP的栅极连接；所述晶体管MP的源级与电源电压连接，漏极与电路输出端连接并通过所述负载电阻Rload接地；所述片外电容C1的一端接地，另一端通过所述等效电阻Resr与电路输出端连接；所述LDO主体结构还包括零点补偿结构；所述零点补偿结构用于产生反馈电压VFeedback提供给所述误差放大器AEA；所述零点补偿结构的电源输入端口接与电源电压连接，VFeedback端口与所述误差放大器AEA连接并通过所述反馈电阻RS接电路输出端；所述零点补偿结构包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、放大器Aesr、快速启动电阻Ron以及RC滤波结构；所述晶体管M3的源级与电源电压连接，栅极通过电阻R3接地、衬底与所述晶体管M4的栅极连接、漏极分别与所述放大器Aesr的同相输入端和所述晶体管M1的漏极连接；所述晶体管M4的源级与电源电压连接，衬底与所述晶体管MX的栅极连接，漏极与所述晶体管M2的漏极连接并通过所述快速启动电阻Ron与所述放大器Aesr的反相输入端连接；所述放大器Aesr的输出端与所述晶体管M1的栅极连接并通过所述RC滤波结构与所述晶体管M2的栅极连接；所述晶体管M1的源级通过电阻R1接地，所述晶体管M2的源级通过电阻R2接地；所述LDO主体结构还包括过流保护结构；所述过流保护结构用于产生过流保护电压Vctrl提供给所述晶体管MY；所述过流保护结构的输入端口分别与所述晶体管MX和所述晶体管MP的漏极连接，电压输出端口与电路输出端连接，Vctrl端口与所述晶体管MY的栅极连接；所述过流保护结构包括晶体管P1、晶体管P2、晶体管N1、晶体管N2、晶体管N3以及片外电容C2；所述晶体管P1的源级通过电阻Rb1与所述MX晶体管的漏极连接，栅极与所述晶体管P2的栅极连接，漏级与所述晶体管N1的漏极连接；所述晶体管P2的源级通过电阻Rb2与所述晶体管MP的漏极连接，漏级与所述晶体管N2的漏极连接，栅极和漏极互接；所述晶体管N1的源级接地，栅极与所述晶体管N2的栅极连接，漏极和栅极互接；所述晶体管N2的源级接地，栅极与所述晶体管N3的栅极连接；所述晶体管N3的源级接地、漏极与所述晶体管M2的栅极连接；所述片外电容C1的一端分别与所述晶体管MP的漏极和电路输出端连接，另一端接地。

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