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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种恒定频率的自适应电流及导通时间产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207955B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310301811.4，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种恒定频率的自适应电流及导通时间产生电路是由叶强;王辉;米文杰;孟令白;王雪洁设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种恒定频率的自适应电流及导通时间产生电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种恒定频率的自适应电流及导通时间产生电路，所述电路由自适应电流产生子电路和自适应导通时间产生子电路两部分组成。其中自适应电流产生子电路通过引入输入电压前馈和外部频率设置电流，产生随输入电压和设置频率变化的输出电流，自适应导通时间产生子电路通过自适应电流对电容充电，并与输出电压进行比较产生自适应导通时间信号，其导通时间由电容的充电时间决定，与输入、输出电压和外部设置频率有关，从而可以使系统的工作频率稳定。

本发明授权一种恒定频率的自适应电流及导通时间产生电路在权利要求书中公布了：1.一种恒定频率的自适应电流及导通时间产生电路，其特征在于，所述电路包括自适应电流产生子电路和自适应导通时间产生子电路，所述自适应电流产生子电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3、三极管Q4、三极管Q5、三极管Q6及三极管Q7，MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7及MOS管M8，所述三极管Q1的发射极分别与电阻R1的一端和接地电阻R2连接，所述电阻R1的另一端与输入电压SVIN连接，所述三极管Q1的集电极分别与电流源Ib1的一端、三极管Q1的基极和三极管Q2的基极连接，所述电流源Ib1的另一端与电源连接，所述三极管Q2的集电极分别与MOS管M1的栅极、MOS管M1的漏极和MOS管M2的栅极连接，所述MOS管M1的源极与电源连接，所述三极管Q2的发射极与接地电阻R3连接，所述MOS管M2的源极连接电源，所述MOS管M2的漏极分别与MOS管M3的漏极、MOS管M3的栅极和MOS管M4的栅极连接，所述MOS管M3的源极接地，所述MOS管M4的源极接地，所述MOS管M4的漏极分别与三极管Q3的基极和三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q3的发射极接地，所述三极管Q3的集电极分别与输入电流Ifreq和三极管Q4的发射极连接，所述三极管Q4的基极分别与三极管Q4的集电极、三极管Q5的基极、电流源Ib2的一端和三极管Q6的基极连接，所述三极管Q5的集电极与电源连接，所述电流源Ib2的另一端连接电源，所述三极管Q6的集电极与电源连接，所述三极管Q6的发射极分别与MOS管M6的漏极和三极管Q7的基极连接，所述MOS管M6的源极接地，所述MOS管M6的栅极分别与MOS管M5的栅极、MOS管M5的漏极和电流源Ib3的一端连接，所述电流源Ib3的另一端与电源连接，所述MOS管M5的源极接地，所述三极管Q7的发射极接地，所述三极管Q7的集电极分别与MOS管M7的漏极、MOS管M7的栅极和MOS管M8的栅极连接，所述MOS管M7的源极与电源连接，所述MOS管M8的源极与电源连接，所述MOS管M8的漏极产生自适应电流产生子电路的输出电流Ib；所述自适应电流产生子电路中引入外部设置频率电路，所述外部设置频率电路包括MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16和单位增益放大器，所述MOS管M14的栅极与单位增益放大器的输出端连接，所述MOS管M14的源极分别与外接电阻RT的一端和单位增益放大器的反相端连接，所述外接电阻RT的另一端接地，所述单位增益放大器的同相端与内部电压基准Vref连接，所述MOS管M14的漏极分别与MOS管M15的漏极、MOS管M15的栅极和MOS管M16的栅极连接，所述MOS管M15的源极与电源电压VDD连接，所述MOS管M16的源极与电源电压VDD连接，所述MOS管M16的漏极产生输入电流Ifreq。

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