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龙图腾网恭喜宁波大学科学技术学院申请的专利CuGeO₃中空纳米管及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116553601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310380296.3，技术领域涉及：C01G17/00；该发明授权CuGeO₃中空纳米管及其制备方法和应用是由王卫;刘兵;方振兴;严洁峰;张恺;胡金星;金鹏达设计研发完成，并于2023-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本CuGeO₃中空纳米管及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CuGeO3中空纳米管的制备方法，其包括S1:Cu‑Ge前驱物的制备和S2：CuGeO3中空纳米管的制备，通过本发明的制备方法能够解决常规制备方法难以量产，步骤复杂的问题，本发明还提供了通过上述方法制备的CuGeO3中空纳米管，且该纳米管在比容量，循环稳定性和倍率性能等方向均表现出优异的性能，具有较高的商用价值与推广价值。

本发明授权CuGeO₃中空纳米管及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种CuGeO3中空纳米管的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1:Cu-Ge前驱物的制备：S11：取聚乙烯吡咯烷酮或聚丙烯腈溶解于N,N二甲基甲酰胺和无水乙醇的混合溶剂中，形成澄清溶液；S12:将二水合乙酸铜和四乙氧基锗加入所述澄清溶液中，搅拌至均质溶液；S13：将所述均质溶液转移到注射器中进行静电纺丝，将所得的Cu-Ge-PVP剥离；S2：CuGeO3中空纳米管的制备：S21：将所述Cu-Ge-PVP升温至200℃，在空气氛围下进行烘烤，得到Cu-Ge-PVP前驱物；S22：将所述Cu-Ge-PVP前驱物进行热处理，热处理的工艺包括：以1℃min的升温速度将所述Cu-Ge-PVP前驱物升温，第一次升温至350℃，进行第一次保温，保温后继续以1℃min的速度将所述Cu-Ge-PVP前驱物第二次升温至500-700℃，第二次保温后即得到CuGeO3中空纳米管；所述步骤S11中，所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为360000，所述澄清溶液中聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为12%，所述聚丙烯腈的平均分子量为150000；所述步骤S11中，所述N,N二甲基甲酰胺和无水乙醇的摩尔配比为（1-2）：1；所述步骤S12中，所述二水合乙酸铜和四乙氧基锗的摩尔配比为1:1；所述步骤S21中，所述升温为阶梯式升温，包括：将所述Cu-Ge-PVP升温至100℃，保温2小时，之后升温至150℃，保温5小时，然后升温至170℃，保温5小时，最后升温至200℃；所述烘烤的时间为24小时。

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