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龙图腾网恭喜桂林理工大学申请的专利一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117125738B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311130833.5，技术领域涉及：C01G41/00；该发明授权一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法是由徐军古;宋兴平设计研发完成，并于2023-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法。（1）在称料之前，将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3在1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，去除原料中的水和CO2。按设计的化学计量比进行称量。将称量好的原料放入研钵中，加入酒精充分研磨1小时以上，混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末。由于MoO3容易挥发，需要在称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失。（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，在4Mpa压力压制30秒成片，放入坩埚中，在500℃下预烧12小时，再将样品研磨、压片，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物。本发明制备的高熵氧离子导体材料制备过程简单，稳定性良好，导电性能良好。

本发明授权一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种极高间隙氧含量的白钨矿结构高熵氧离子导体材料La0.2Sm0.2Nd0.2Gd0.2Ca0.22Mo2O8.8的制备方法，其特征在于，具体制备步骤为：（1）在称料之前，首先将镧系氧化物La2O3、Sm2O3、Nd2O3、Gd2O3放入马弗炉中1000℃烧结12小时，将CaCO3置于180℃烘箱中干燥12小时，以去除原料中的水和CO2；按设计的化学计量比进行称量；将称量好的纯度均为99wt%以上的原料放入玛瑙研钵中，用酒精作为分散剂混合，利用压力和摩擦力来充分研磨，研磨1小时以上，使其混合均匀后在红外灯下干燥得到样品粉末；由于MoO3材料容易挥发，需要在前期称量时过量10%来弥补烧结过程中造成的原料损失；（2）将粉末样品称量0.5g放入压片磨具内，利用压片机旋转柱塞提供压力和摩擦力，在4Mpa压力压制30秒成片，压出直径为10mm，厚度为1-2mm的圆片；将片装入氧化铝坩埚中，在马弗炉中500℃下预烧12小时，再将预烧后的样品继续研磨、压片，重复预烧前的步骤，最后在950℃烧结保温12小时，获得目标产物；（3）将步骤（2）制得陶瓷片砸碎，然后通过XRD、SEM-EDS测试确定制备的样品为单一物相；从XRD数据可以看出950℃时有两个未知衍射峰，SEM-EDS测试结果显示各元素分布均匀，说明该样品为纯相，且与具有白钨矿结构的AgSmMo2O8材料同构；利用电化学阻抗谱研究了La0.2Sm0.2Nd0.2Gd0.2Ca0.22Mo2O8.8高熵材料氧离子导体材料的电学性能以及导电类型，测试结果表明在900℃时在空气气氛下材料的电导率可达到1.97×10-4Scm,在相同温度湿润氩气氛下的电导率为3.71×10-4Scm，电导率没有明显提高，说明没有质子导电现象存在；在800℃时在CO2和湿润Ar气氛下分别烧结48h和96h测试样品稳定性，从XRD衍射数据可以看出材料没有发生分解，表明该高熵材料的热稳定性和化学稳定性良好。

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