恭喜大连理工大学杨希川获国家专利权
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龙图腾网恭喜大连理工大学申请的专利一类乙胺硫脲钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117202749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311164991.2，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权一类乙胺硫脲钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池是由杨希川;李舒康;邓子健;梁虎虎;徐功臣;姜淼;姚瑞港;王瑞;包萍萍设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一类乙胺硫脲钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一类乙胺硫脲钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。所述钙钛矿薄膜包括钙钛矿薄膜和钝化层，所述钝化层位于钙钛矿薄膜的表面，所述钝化层的钝化分子化学式为C3H9N3S·2HBr。本发明钝化分子乙胺硫脲AET有三个氨基和一个S‑供体，其中氨基可以与钙钛矿晶体中的碘原子形成氢键，S‑供体可以与Pb原子形成路易斯酸碱加合物或与NH形成氢键，同时由于乙胺硫脲作为钝化剂对缺陷的高效钝化，减少了离子迁移的通道，从而使得具有离子晶体性质的钙钛矿材料中的离子迁移现象被显著抑制，有效地提高了器件的光电转换效率和稳定性，光电转换效率PCE从18.19％提高到了20.21％。
本发明授权一类乙胺硫脲钝化的钙钛矿薄膜及其制备方法和钙钛矿太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一类乙胺硫脲钝化的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括钙钛矿薄膜和钝化层，所述钝化层位于钙钛矿薄膜的表面，所述钝化层的钝化分子化学式为C3H9N3S·2HBr，所述钙钛矿薄膜的化学组成为FA0.88Cs0.12PbI3；所述方法包括以下步骤：1将钝化分子溶于溶剂中得到钝化分子溶液；2将钝化分子溶液旋涂到钙钛矿薄膜表面，退火，形成钝化层，得到所述的钙钛矿薄膜。
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