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龙图腾网恭喜广州增芯科技有限公司申请的专利一种半导体制程中的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117423610B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311267448.5，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种半导体制程中的刻蚀方法是由李洋设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体制程中的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，为一种半导体制程中的刻蚀方法，所述刻蚀方法的刻蚀对象为晶圆，刻蚀图案包括第一区域和第二区域，所述刻蚀图案的第一区域具有第一图形密度值，所述刻蚀图案的第二区域具有第二图形密度值；所述第一图形密度值大于所述第二图形密度值；所述刻蚀方法包括：通过第一次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第一图形密度值的图案；在所述第一图形密度值的图案上，通过第二次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第二图形密度值的图案。本发明可以改善刻蚀后稀疏图形和密集图形负载效应，减少一次曝光刻蚀后形成的不同图形密度的浅沟槽出现形貌角度和刻蚀深度等差异。

本发明授权一种半导体制程中的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体制程中的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法的刻蚀对象为晶圆，在所述晶圆的表面形成第一介质膜；刻蚀图案至少包括第一区域和第二区域，所述刻蚀图案的第一区域具有第一图形密度值，所述刻蚀图案的第二区域具有第二图形密度值；所述第一图形密度值大于所述第二图形密度值；所述刻蚀方法包括：步骤S1：通过第一次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第一图形密度值的图案；所述第一次刻蚀工艺后，保留所述第一图形密度值图案对应的所述第一介质膜；在形成的所述第一图形密度值的图案的晶圆表面填充第二介质，所述第二介质材料的填充能力大于所述第一介质膜的材料；去除第二预设厚度的所述第二介质，使得所述晶圆表面第二介质与所述第一介质膜的高度差在第一预设值；步骤S2：在所述第一图形密度值的图案上，通过第二次光刻和刻蚀工艺在所述晶圆表面形成所述第二图形密度值的图案；所述第二次光刻工艺的过程中曝光所使用的光罩的图案是第一图形密度值的区域和第二图形密度值的区域合并后的整体图案。

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