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龙图腾网恭喜西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117558821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311369481.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池是由白明华;李慧;姜海艳;楚阳阳;朱惠君;平飞林设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，以解决在形成重掺杂区的过程中，会影响轻掺杂区，进而降低太阳能电池性能的问题。该太阳能电池的制作方法包括：对半导体基底的第一面进行处理以形成掺杂源层。采用激光照射工艺对掺杂源层进行区域性处理，使掺杂源层内的掺杂元素扩散至半导体基底内，以在半导体基底的第一面一侧形成重掺杂区，剩余掺杂源层为轻掺杂区。重掺杂区中掺杂元素的最大掺杂浓度与轻掺杂区中掺杂元素的最大掺杂浓度的比值大于或等于1且小于或等于3。重掺杂区在1微米深度范围内，任意重掺杂区中掺杂元素的掺杂浓度与重掺杂区中掺杂元素的最大掺杂浓度的比值大于或等于30％且小于或等于100％。

本发明授权一种太阳能电池的制作方法和太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底；所述半导体基底具有相对的第一面和第二面；对所述半导体基底具有的第一面进行处理，以形成掺杂源层；采用激光照射工艺对所述掺杂源层进行区域性处理，使所述掺杂源层内的掺杂元素扩散至所述半导体基底内，以在所述半导体基底具有的第一面一侧形成重掺杂区；剩余所述掺杂源层为轻掺杂区；对所述半导体基底、所述重掺杂区和所述轻掺杂区进行氧化处理，以在所述半导体基底的第一面形成选择性发射极；其中，所述重掺杂区中掺杂元素的最大掺杂浓度与所述轻掺杂区中掺杂元素的最大掺杂浓度的比值大于或等于1，且小于或等于3；所述重掺杂区在1微米深度范围内，任意所述重掺杂区中掺杂元素的掺杂浓度与所述重掺杂区中掺杂元素的最大掺杂浓度的比值大于或等于30％，且小于或等于100％。

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