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龙图腾网恭喜西安电子科技大学申请的专利一种具有双重功率回路的双面散热功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117374028B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311403987.7，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权一种具有双重功率回路的双面散热功率模块是由江希;马年龙;王颖;袁嵩;弓小武设计研发完成，并于2023-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双重功率回路的双面散热功率模块在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，包括平行放置的上DBC基板和下DBC基板；上DBC基板和下DBC基板布局结构对称且两者相对的一侧为内表面；上DBC基板包括上AlN基板以及位于上AlN基板内表面的上金属层；下DBC基板包括下AlN基板以及位于下AlN基板内表面的下金属层；上金属层和下金属层均包括多个DC+端子金属层、AC端子金属层、DC‑端子金属层以及驱动金属层。该功率模块采用了上下结构对称的DBC布局设计，使每个DC+端子都存在两条不同的功率回路，分别到达不同的DC‑端子，实现了互感抵消，降低了模块功率回路的寄生电感，保证了内部芯片之间电路参数的一致性，减缓了相邻芯片之间的热耦合效应。

本发明授权一种具有双重功率回路的双面散热功率模块在权利要求书中公布了：1.一种具有双重功率回路的双面散热功率模块，其特征在于，包括平行放置的上DBC基板和下DBC基板；所述上DBC基板和所述下DBC基板布局结构对称且两者相对的一侧为内表面；所述上DBC基板包括上AlN基板以及位于所述上AlN基板内表面的上金属层；所述下DBC基板包括下AlN基板以及位于所述下AlN基板内表面的下金属层；所述上金属层和所述下金属层均包括多个DC+端子金属层、AC端子金属层、DC-端子金属层以及驱动金属层；所述多个DC+端子金属层上放置有功率回路的上管碳化硅芯片以及功率回路的多个DC+端子；所述AC端子金属层上放置有功率回路的下管碳化硅芯片以及功率回路的AC端子；所述DC-端子金属层上放置有功率回路的DC-端子；所述驱动金属层上设置有驱动回路的驱动端子；其中，所述上管碳化硅芯片的源极通过钼化物连接所述AC端子金属层，所述下管碳化硅芯片的源极通过钼化物连接所述DC-端子金属层；且所述上管碳化硅芯片的源极和所述下管碳化硅芯片的源极通过键合线与驱动回路进行开尔文连接；所述上金属层中的DC+端子金属层与所述下金属层中的DC-端子金属层上下靠近放置，所述上金属层中的DC-端子金属层与所述下金属层中的DC+端子金属层上下靠近放置；且所述上金属层中的DC+端子金属层与所述下金属层中的DC+端子金属层通过钼化物连接，所述上金属层中的DC-端子金属层与所述下金属层中的DC-端子金属层通过钼化物连接，所述上金属层中的AC端子金属层与所述下金属层中的AC端子金属层通过钼化物连接，以形成一个上下层金属相互连接的环状结构，从而使每个DC端子都存在两条不同的功率回路。

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