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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117497565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311590079.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;陈伟;吴阳阳设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法。该终端结构包括依次层叠设置的外延层一、掩埋层和外延层二，终端结构的外周从外延层二向下刻蚀形成终端沟槽，外延层二内具有主结区，若干个场限环依次环绕在主结区的外周且至少场限环沿平行第一方向的正投影位于终端沟槽内，场限环在第一方向上沿沟槽下边延伸至掩埋层或外延层一中。本发明在三明治夹层外延的设计基础上，通过制作终端沟槽并保证至少场限环沿平行第一方向的正投影位于终端沟槽内，使得在相同注入条件下，至少场限环区域注入更深，同时掩埋层可以作为JTE结构辅助场限环终端结构，该结构能够更好的调制终端区域电场，提高器件的击穿特性。

本发明授权一种宽禁带半导体终端结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体终端结构，其特征在于，包括依次层叠设置的外延层一、掩埋层和外延层二，所述外延层一与所述外延层二的掺杂类型相同，所述掩埋层的掺杂类型与所述外延层一的掺杂类型相反；所述终端结构的外周从外延层二向下刻蚀形成终端沟槽，所述外延层二内具有主结区，若干个场限环依次环绕在主结区的外周且至少所述场限环沿平行第一方向的正投影位于终端沟槽内，所述场限环在第一方向上沿沟槽下边延伸至掩埋层或外延层一中；所述主结区为下述（1）~（2）所示的任一种结构：（1）主结区沿第一方向延伸至外延层二或掩埋层或外延层一中；（2）主结区包括位于外延层二中的第一部分以及位于掩埋层中和或外延层一中的第二部分，且第一部分和第二部分不连接；所述第一方向为外延层二指向外延层一的方向。

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