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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117613052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311657662.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法是由张源涛;张立东;邓高强;左长财设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法，属于半导体电子器件技术领域。该器件在同一衬底上集成了PMOS器件与NMOS器件，每种器件结构都由衬底、AlN缓冲层、高阻GaN层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、极化诱导层、绝缘层、钝化层以及栅电极、源电极和漏电极组成。器件的主体结构通过MOCVD方法制备，制备过程还涉及磁控溅射、光刻等工艺。本发明通过将PMOS与NMOS器件单片集成降低了系统体积和系统设计的复杂度，有利于减少不同器件间的寄生效应，提高电路系统的效率；此外，同步生长金属极性与氮极性器件可以一次外延获得PMOS和NMOS结构，有利于工艺流程的缩短和生产成本的降低。

本发明授权一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属极性与氮极性结合的GaN基CMOS器件，其特征在于：该CMOS器件由金属极性PMOS器件与氮极性NMOS器件组成，金属极性PMOS器件从下至上依次由衬底（1）、金属极性AlN准备层（2）、金属极性AlN缓冲层（4）、金属极性高阻GaN层（6）、金属极性AlGaN势垒层（8）、金属极性GaN沟道层（10）、金属极性极化诱导层（12）和钝化层（14）组成；将钝化层（14）和金属极性极化诱导层（12）沿中间区域进行刻蚀，露出金属极性GaN沟道层（10），形成PMOS栅电极凹槽；在刻蚀后的钝化层（14）表面和露出的金属极性GaN沟道层（10）表面制备绝缘层（15）；将绝缘层（15）和钝化层（14）再沿左右两端区域进行刻蚀，露出金属极性极化诱导层（12），形成PMOS源电极凹槽和PMOS漏电极凹槽；在PMOS源电极凹槽和PMOS漏电极凹槽中分别制备PMOS源电极（16）和PMOS漏电极（17），在PMOS栅电极凹槽中制备PMOS栅电极（20）；氮极性NMOS器件结构从下至上依次由衬底（1）、氮极性AlN缓冲层（5）、氮极性高阻GaN层（7）、氮极性AlGaN势垒层（9）、氮极性GaN沟道层（11）、氮极性极化诱导层（13）和钝化层（14）组成；将钝化层（14）和氮极性极化诱导层（13）沿中间区域进行刻蚀，露出氮极性GaN沟道层（11），形成NMOS栅电极凹槽；在刻蚀后的钝化层（14）表面和露出的氮极性GaN沟道层（11）表面制备绝缘层（15）；将绝缘层（15）和钝化层（14）再沿左右两端区域进行刻蚀，露出氮极性极化诱导层（13），形成NMOS源电极凹槽和NMOS漏电极凹槽；在NMOS源电极凹槽和NMOS漏电极凹槽中分别制备NMOS源电极（18）和NMOS漏电极（19），在NMOS栅电极凹槽中制备NMOS栅电极（21）；金属极性PMOS器件与氮极性NMOS器件共用同一衬底（1），其结构间由隔离层（3）分隔开；其中，金属极性PMOS的金属极性极化诱导层（12）的组分渐变InxGa1-xN的In组分x沿外延生长方向从x1渐变至x2，满足0≤x1＜x2≤1，厚度为50~150nm；氮极性NMOS的氮极性极化诱导层（13）的组分渐变InxGa1-xN的In组分x沿外延生长方向从x1渐变至x2，满足0≤x1＜x2≤1，厚度为50~150nm。

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