恭喜浙江大学杭州国际科创中心王依获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜浙江大学杭州国际科创中心申请的专利光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117555209B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311807633.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机是由王依;高金铭;刘天棋设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机在说明书摘要公布了：本申请提供一种光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机，方法包括：提供真空腔室，真空腔室内设置有待处理的器件，器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，污染物包括碳污染物和或氢化金属污染物；向真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，X射线用于激发工艺气体并使工艺气体产生活性粒子，活性粒子用于与待处理的器件上的碳污染物和或氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室。处理设备包括：箱体、真空泵、X射线源以及工艺气体源。本发明为金属氧化物型光刻胶在实际光刻系统的推广应用提出了解决方案，解决了含有机物的金属氧化物型光刻胶的金属性污染与碳沉积的双重污染问题。
本发明授权光刻胶曝光污染物的处理方法、处理设备及光刻机在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶曝光污染物的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：提供真空腔室，所述真空腔室内设置有待处理的器件，所述器件上沉积有光刻胶曝光工艺形成的污染物，所述污染物包括碳污染物和或氢化金属污染物；向所述真空腔室内持续通入工艺气体；提供X射线，所述X射线用于激发所述工艺气体并使所述工艺气体产生活性粒子，所述活性粒子用于与所述待处理的器件上的碳污染物和或所述氢化金属污染物反应，产生挥发性气态化合物；将挥发性气态化合物排出真空腔室；所述工艺气体为二氧化碳，二氧化碳在所述X射线的照射下，能够产生活性一氧化碳分子以及氧自由基，产生的所述活性一氧化碳分子和所述氧自由基分别用于与所述氢化金属污染物和所述碳污染物发生反应产生挥发性气态分子。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学杭州国际科创中心，其通讯地址为：310000 浙江省杭州市萧山区建设三路733号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号