恭喜武汉高芯科技有限公司黄晟获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉高芯科技有限公司申请的专利一种用于浸渍式碲镉汞液相外延生长的样品架获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222821714U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420623508.6，技术领域涉及：C30B19/06；该实用新型一种用于浸渍式碲镉汞液相外延生长的样品架是由黄晟;黄立;王金虎;汪鑫;姚柏文;张冰洁设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于浸渍式碲镉汞液相外延生长的样品架在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延生长的样品架，包括样品架体以及蒸汽罩，所述样品架体包括：主体部，其外周面上形成有N个凹槽；衬底，其容纳于所述凹槽内；以及底座，其形成于所述主体部的底部，且所述底座的外径大于主体部的外径；所述蒸汽罩包括：罩体，其具有内部容纳腔以及下部开口；通过底座的外壁面与罩体底端的抵接实现对下部开口的完全封闭。其通过底座外壁面与罩体下端的抵接对蒸汽罩的下部开口完全封闭，使得母液中的汞蒸汽无法在衬底浸入母液前以及衬底浸入母液进行外延生长成膜后、母液冷却的过程中进入蒸汽罩的内部容纳腔内，避免汞蒸汽对衬底以及衬底上外延生长的膜材料造成损伤。
本实用新型一种用于浸渍式碲镉汞液相外延生长的样品架在权利要求书中公布了：1.一种用于浸渍式碲镉汞液相外延生长的样品架，包括样品架体以及蒸汽罩，其特征在于，所述样品架体包括：主体部，其外周面上形成有N个凹槽；衬底，其容纳于所述凹槽内；以及底座，其形成于所述主体部的底部，且所述底座的外径大于主体部的外径；所述蒸汽罩包括：罩体，其具有内部容纳腔以及下部开口；通过底座的外壁面与罩体底端的抵接实现对下部开口的完全封闭。
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