恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李泓儒获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222827624U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420658070.5，技术领域涉及：H10N70/20；该实用新型半导体结构是由李泓儒;丁裕伟;叶宗浩;张国彬;黄国钦设计研发完成，并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：提供装置结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括设置在基底之上的第一电极和第二电极、设置在基底之上的加热元件、设置在基底之上的相变材料层以及垂直设置在加热元件和相变材料层之间的绝缘体。相变材料层至少包括第一片段和与第一片段分离的第二片段。在上视图中，第一和第二片段中的每一个都与加热元件重叠。第一和第二片段中的每一个都与第一和第二电极电连接。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一电极和第二电极设置在基底之上；加热元件设置在所述基底之上；相变材料层设置在所述基底之上；以及绝缘体垂直设置在所述加热元件和所述相变材料层之间，其中所述相变材料层至少包括第一片段和与所述第一片段分开的第二片段，所述第一片段和所述第二片段中的每一个在上视图中与所述加热元件重叠，所述第一片段和所述第二片段中的每一个都与所述第一电极和所述第二电极电连接。
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