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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利一种双面纳米压印结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119805855B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510293169.9，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权一种双面纳米压印结构的制备方法是由李志强;雷程;梁庭;王思哲;王涛龙;余建刚;李丰超;贾平岗设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面纳米压印结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双面纳米压印结构的制备方法，其中，方法包括：形成第一光刻胶涂层，并基于第一光刻胶涂层进行图案化处理，对应第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对第一衬底A面进行刻蚀，形成凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底进行衬底键合，以形成密封腔体；形成第一UV保护层，并对第二衬底B面进行结构化处理，形成第一纳米结构层；去除第一UV保护层，在第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。本发明至少提高了制备效率和一致性。

本发明授权一种双面纳米压印结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双面纳米压印结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一衬底的第一衬底A面上形成第一光刻胶涂层，并基于所述第一光刻胶涂层进行图案化处理，得到位于所述第一衬底A面两侧的对应所述第一光刻胶涂层的衬底遮挡部；对所述第一衬底的第一衬底A面进行刻蚀，形成位于所述第一衬底A面中部的凹槽结构，并将所述衬底遮挡部进行去除；将第一衬底、第二衬底以第一衬底的第一衬底A面贴合于第二衬底的第二衬底A面的方式进行衬底键合，以使所述凹槽结构形成密封腔体；在所述第一衬底的第一衬底B面上形成第一UV保护层，并对所述第二衬底的第二衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第二衬底B面上的第一纳米结构层，其中，所述第一纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第一结构圆孔；去除第一UV保护层，在所述第二衬底的第二衬底B面上形成第二UV保护层，并对所述第一衬底的第一衬底B面进行结构化处理，形成位于所述第一衬底B面上的第二纳米结构层，其中，所述第二纳米结构层包括呈现阵列排布的多个第二结构圆孔；去除第二UV保护层，得到双面纳米压印结构。

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