恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司白思航获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111785740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010693491.8，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置是由白思航设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置，所述薄膜晶体管阵列基板包括两种不同的半导体材料形成的第一半导体层和第二半导体层，与第一半导体层重叠设置的第一栅极电极和导电性层，与第二半导体层重叠设置的第二栅极电极和第三栅极电极，以及设置在第二半导体层与第二栅极电极之间的中间绝缘层。通过对薄膜晶体管阵列基板的膜层结构和成型工艺进行优化，使得制程时间缩短，节约了制造成本，并降低了膜层厚度，提高阵列基板的柔性弯折性能。
本发明授权一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：第一半导体层；覆盖所述第一半导体层的第一栅极绝缘层；设置在所述第一栅极绝缘层上并与所述第一半导体层重叠的第一栅极电极；覆盖所述第一栅极电极的第二栅极绝缘层；设置在所述第二栅极绝缘层上并同层布置的导电层和第二栅极电极；中间绝缘层，覆盖所述导电层和所述第二栅极电极；设置在所述中间绝缘层上的第二半导体层，所述第二半导体层与所述第二栅极电极重叠；覆盖所述第二半导体层的第三栅极绝缘层，设置在所述第三栅极绝缘层上并与所述第二半导体层重叠的第三栅极电极；其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层为不同材料的半导体层，所述中间绝缘层包括氧化物绝缘层以及氮化物绝缘层，所述氮化物绝缘层位于所述氧化物绝缘层下方，所述氮化物绝缘层中氢含量≥10％且≤15％，所述第二栅极绝缘层中氢含量大于15％。
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