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恭喜台湾积体电路制造股份有限公司李信昌获国家专利权

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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有非晶帽盖层的光刻掩模获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113253562B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010913267.5,技术领域涉及:G03F1/24;该发明授权具有非晶帽盖层的光刻掩模是由李信昌;许倍诚;钱志道;陈明威;连大成设计研发完成,并于2020-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

具有非晶帽盖层的光刻掩模在说明书摘要公布了:本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。

本发明授权具有非晶帽盖层的光刻掩模在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,包括:衬底;多层反射结构,设置在所述衬底之上;非晶帽盖层,设置在所述多层反射结构之上;以及非晶层,设置在所述多层反射结构与所述非晶帽盖层之间,其中,所述非晶层形成在所述多层反射结构的最上层的上表面上,其中,所述非晶层具有与所述非晶帽盖层不同的非晶材料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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