恭喜苏州矩阵光电有限公司颜建获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜苏州矩阵光电有限公司申请的专利制备InSb功能层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110099762.1，技术领域涉及：H10N52/85；该发明授权制备InSb功能层的方法是由颜建;胡双元;黄勇;李鑫;吴文俊设计研发完成，并于2021-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备InSb功能层的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种制备InSb功能层的方法，包括：提供III‑V族化合物半导体单晶衬底；在所述III‑V族化合物半导体单晶衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长晶格常数匹配的过渡层；在所述过渡层上生长InSb功能层。根据本申请实施例的制备InSb功能层的方法，减少由于失配引起的InSb功能层的晶格失配位错密度，提高InSb功能层的晶体质量，从而有效的提高Insb霍尔元件的性能。
本发明授权制备InSb功能层的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备InSb功能层的方法，其特征在于，包括：提供III-V族化合物半导体单晶衬底；在所述III-V族化合物半导体单晶衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长与所述缓冲层晶格常数匹配的过渡层；在所述过渡层上生长InSb功能层；其中，所述缓冲层包括GaAs；所述过渡层为AlxGa0.51-xIn0.49P，其中，x的值大于或者等于0且小于0.51，或，所述过渡层为AlxGa0.51-xIn0.49P:Te，其中，x的值大于或者等于0且小于0.51，Te的掺杂浓度范围为1E18至1E19。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州矩阵光电有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋矩阵光电；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号