恭喜台湾积体电路制造股份有限公司叶佳灵获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置、高电子迁移率晶体管以及用于制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113871449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110260030.6，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置、高电子迁移率晶体管以及用于制造其的方法是由叶佳灵;帕拉范苏莫汉塔;陈京玉;谢江河;林育贤设计研发完成，并于2021-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、高电子迁移率晶体管以及用于制造其的方法在说明书摘要公布了：一种半导体装置和用于制造这种半导体装置的方法，特别是具有用于阻挡电子泄漏且提高阈值电压的后势垒层的高电子迁移率晶体管HEMT。在一个实施例中，一种半导体装置包含：氮化镓GaN层；在氮化镓层上方的前势垒层；在前势垒层上方形成的源电极、漏电极以及栅电极；在氮化镓层与前势垒层之间的第一界面处的氮化镓层中的2维电子气2‑DEG；以及在氮化镓层中的后势垒层，其中后势垒层包括氮化铝AlN。
本发明授权半导体装置、高电子迁移率晶体管以及用于制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：第一氮化镓层，包括第一电阻率；前势垒层，位于所述第一氮化镓层上方；源电极、漏电极以及栅电极，形成于所述前势垒层上方；2维电子气，位于所述第一氮化镓层与所述前势垒层之间的第一界面处的所述第一氮化镓层中；后势垒层，位于所述第一氮化镓层下方，其中所述后势垒层包括氮化铝；第二氮化镓层，位于所述后势垒层下方，其中所述第二氮化镓层包括第二电阻率；以及第三氮化镓层，位于所述第二氮化镓层下方，其中所述第三氮化镓层包括第三电阻率，其中所述第三电阻率高于所述第二电阻率。
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