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恭喜台湾积体电路制造股份有限公司许国经获国家专利权

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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利芯片封装结构及芯片封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113270322B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110346933.6,技术领域涉及:H01L21/48;该发明授权芯片封装结构及芯片封装结构及其形成方法是由许国经;陈昱寰;陈承先设计研发完成,并于2021-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

芯片封装结构及芯片封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了:本公开提供一种芯片封装结构及用于形成芯片封装结构的方法。用于形成芯片封装结构的方法包括提供线路基板、在聚合物层以及导电垫上方形成导电粘合层、在导电粘合层上方形成镍层以及将芯片通过导电凸块接合到线路基板。线路基板包括基板、导电垫以及聚合物层,聚合物层位于基板以及导电垫上方,且聚合物层具有露出导电垫的一第一开口。导电粘合层直接接触并共形地覆盖聚合物层以及导电垫。镍层比导电粘合层厚,且镍层以及导电粘合层由不同的材料所形成。导电凸块位于镍层以及芯片之间。

本发明授权芯片封装结构及芯片封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了:1.一种用于形成芯片封装结构的方法,包括:提供一线路基板,该线路基板包括一基板、一导电垫以及一聚合物层,其中该聚合物层位于该基板以及该导电垫上方,且该聚合物层具有露出该导电垫的一第一开口;在该聚合物层以及该导电垫上方形成一导电粘合层,其中该导电粘合层直接接触并共形地覆盖该聚合物层以及该导电垫;在该导电粘合层上方形成一镍层,其中该镍层比该导电粘合层厚,且该镍层以及该导电粘合层由不同的材料所形成;在该镍层上方形成一铜层,其中导电凸块位于该铜层以及该芯片之间;以及将一芯片通过一导电凸块接合到该线路基板,其中该导电凸块位于该镍层以及该芯片之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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