恭喜家登精密工业股份有限公司邱铭乾获国家专利权
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龙图腾网恭喜家登精密工业股份有限公司申请的专利具备抗静电破坏的掩膜盒及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114310828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684543.X，技术领域涉及：B25H3/02；该发明授权具备抗静电破坏的掩膜盒及其加工方法是由邱铭乾;庄家和;李怡萱;温星闵;薛新民;林韵孜设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具备抗静电破坏的掩膜盒及其加工方法在说明书摘要公布了：一种具备抗静电破坏的掩膜盒及其加工方法，所述掩膜盒包含一底座及多个支撑元件。底座具有一承载面，该承载面形成有一凹槽，该凹槽具有一底面。支撑元件围绕该底座的承载面并配置成支撑一掩膜。该凹槽具有一深度，该深度于该承载面至该底面之间延伸，该深度介于300μm至3400μm之间，借此削弱该承载面上微粒所受的静电力。本申请能够借由控制掩膜盒底座中的凹槽加工深度或凹槽底面表面与掩膜朝下表面之间的间距，而有效削弱掩膜残留电压对于底座表面微粒的影响，进而降低微粒被吸引至掩膜的朝下表面，避免图案区遭污染。
本发明授权具备抗静电破坏的掩膜盒及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种具备抗静电破坏的掩膜盒，其特征在于，包含：一底座，具有一承载面，所述承载面形成有一凹槽，所述凹槽具有一底面；及多个支撑元件，围绕所述底座的承载面并配置成支撑一掩膜，其中所述凹槽具有一深度，所述深度于所述承载面至所述底面之间延伸，所述深度介于300μm至3400μm之间，借此削弱所述承载面上微粒所受的静电力，其中所述凹槽具有一环形边缘，所述环形边缘围绕的一区域面积等于或大于所述掩膜的一图案区域面积。
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