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龙图腾网恭喜武汉天马微电子有限公司申请的专利薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111080939.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法是由田中淳设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法。第一薄膜晶体管包括多晶硅膜。第二薄膜晶体管包括氧化物半导体膜。第一绝缘膜位于多晶硅膜和氧化物半导体膜上方。第一绝缘膜与氧化物半导体膜接触并覆盖多晶硅膜的至少一部分和氧化物半导体膜的至少一部分。第二绝缘膜位于第一绝缘膜上方并且包括比第一绝缘膜的氢浓度更高浓度的氢。第一绝缘膜包括第一部分和第二部分。第一部分包括覆盖多晶硅膜的所述至少一部分的部分。第二部分包括覆盖氧化物半导体膜的所述至少一部分的部分。第一部分比第二部分薄。

本发明授权薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管基板，包括：绝缘基板；第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述绝缘基板上并包括作为活性膜的多晶硅膜；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述绝缘基板上并包括位于所述多晶硅膜上方的作为活性膜的氧化物半导体膜；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜位于所述多晶硅膜和所述氧化物半导体膜上方，所述第一绝缘膜与所述氧化物半导体膜接触并且在层叠方向上观察时覆盖所述多晶硅膜的至少一部分和所述氧化物半导体膜的至少一部分；以及第二绝缘膜，所述第二绝缘膜位于所述第一绝缘膜上方，并且所述第二绝缘膜在所述层叠方向上观察时覆盖所述多晶硅膜的所述至少一部分和所述氧化物半导体膜的所述至少一部分并且包含比所述第一绝缘膜中的氢浓度更高浓度的氢，其中，所述第一绝缘膜包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分包括覆盖所述多晶硅膜的所述至少一部分的部分，其中，所述第二部分包括覆盖所述氧化物半导体膜的所述至少一部分的部分，并且其中，所述第一部分比所述第二部分薄。

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