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龙图腾网恭喜珠海宝丰堂半导体股份有限公司申请的专利等离子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113797725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111220975.1，技术领域涉及：B01D53/32；该发明授权等离子设备是由吕尚亿;梁冠雄;丁雪苗;赵芝强;赵公魄设计研发完成，并于2021-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种等离子设备，等离子设备包括等离子发生组件、气流引导结构及进气组件，等离子发生组件包括两个等离子电极。两个间隔设置的等离子电极形成等离子腔，以使等离子腔能够形成等离子场。当进气组件通过进气口进气至等离子腔内，实现气体在等离子腔内的电离，形成等离子气体。由于气流引导结构设置于进气口处，气流引导结构上的分流孔与等离子腔连通，进而进气组件通过气流引导结构进气至等离子腔内时，需要经过分流孔的引流。利用气流引导结构上的分流孔，实现对进气组件喷出的气流的引导引流作用，进而便于使得气流通过分流孔后能够更加均匀地分布于等离子腔内，提高等离子体的产生效率，进而提高等离子体处理的效率。

本发明授权等离子设备在权利要求书中公布了：1.一种等离子设备，其特征在于，所述等离子设备包括：等离子发生组件，所述等离子发生组件包括两个等离子电极，两个所述等离子电极间隔设置，且两个所述等离子电极之间的空间形成为等离子腔，两个所述等离子电极的一侧边之间的间隔形成与所述等离子腔连通的进气口；气流引导结构，所述气流引导结构上开设有至少两个分流孔，各个所述分流孔间隔设置，所述气流引导结构设置于所述进气口处，以使所述分流孔与所述等离子腔连通；进气组件，所述进气组件设置于所述气流引导结构背向于所述等离子腔的一侧，所述进气组件能够通过所述分流孔进气至所述等离子腔；还包括置料框架，所述置料框架设置于所述等离子腔内并与所述等离子电极间隔设置，所述置料框架内形成有置料插槽，所述置料插槽贯穿所述置料框架朝向所述进气口的一侧形成连通口，所述气流引导结构设置于所述置料框架的连通口上，并覆盖所述连通口，以使所述分流孔与所述置料插槽连通；其中，等离子电极为板状结构，两个等离子电极的板面相对间隔，形成扁盒状的等离子腔；进气口形成于两个等离子电极的一侧边处；气流引导结构为条状结构，气流引导结构的长边与等离子电极相对，便于气流引导结构与等离子电极间隔；气流达到气流引导结构背向于等离子腔的一侧时，以使气流能够分成三个部分，其中两个部分的气流通过气流引导结构与等离子电极两侧的间隙进入等离子腔内，待处理工件设置于等离子腔，以使该两部分气流分布位于待处理工件相背对两侧，而另一部分通过分流孔进入到等离子腔，该部分气流能够均匀扩散至待处理工件相背对的两表面上，进一步均匀待处理工件的相背对两表面上的气流的均匀程度。

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