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龙图腾网恭喜豪威科技股份有限公司申请的专利图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664872B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111232336.7，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其制造方法是由文成烈设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种图像传感器及其制造方法。公开一种用于高清晰度HD图像传感器的像素阵列。所述像素阵列包含数个分裂像素单元，每一分裂像素单元包含第一光电二极管及比所述第一光电二极管对入射光更敏感的第二光电二极管。所述第一光电二极管可用于感测明亮或高强度光条件，而所述第二光电二极管可用于感测低到中强度光条件。在所述所公开像素阵列中，通过在每一分裂像素单元的所述第一光电二极管上方施加光衰减层来降低一或多个光电二极管的敏感度。根据本公开的方法，可在形成金属光学隔离栅格结构之前形成所述光衰减层。这可能导致更好地控制所述光衰减层的厚度及均匀性。

本发明授权图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分裂像素单元，其包括：半导体衬底，其具有光接收表面；第一光电二极管，其经安置在所述半导体衬底中且能够响应于入射光而光生图像电荷；第二光电二极管，其邻近所述第一光电二极管安置在所述半导体衬底中，所述第二光电二极管能够响应于所述入射光而光生图像电荷，其中所述第二光电二极管比所述第一光电二极管对所述入射光更敏感；第一光学隔离栅格区段及第二光学隔离栅格区段，其经安置在所述半导体衬底的所述光接收表面上，包围所述第一光电二极管的曝光区域，所述第一光学隔离栅格区段及所述第二光学隔离栅格区段具有面向所述入射光的顶表面，以及内侧壁及外侧壁；光衰减层，其邻近所述第一光学隔离栅格区段及所述第二光学隔离栅格区段的所述内侧壁安置且与所述第一光电二极管光学对准，其中所述第一光学隔离栅格区段及所述第二光学隔离栅格区段直接延伸至所述光衰减层附近、部分延伸穿过所述光衰减层、或完全延伸穿过所述光衰减层，使得所述光衰减层在结构上与所述第一光学隔离栅格区段及所述第二光学隔离栅格区段连接，覆盖所述第一光电二极管的所述曝光区域；及势垒膜，其直接安置在所述第一光学隔离栅格区段及所述第二光学隔离栅格区段的所述内侧壁和底表面上，其中所述势垒膜至少部分地安置于所述光衰减层与所述第一光学隔离栅格区段及所述第二光学隔离栅格区段的所述内侧壁之间，其中所述光衰减层是直接接触所述势垒膜的平面层。

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