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龙图腾网恭喜华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利分栅闪存器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023757B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111239220.6，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权分栅闪存器件及其制造方法是由许昭昭设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本分栅闪存器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种分栅闪存器件及其制造方法，其中制造方法包括以下步骤：制作电荷俘获介质层；将第一目标区域对应的电荷俘获介质层刻蚀去除，第一目标区域为与栅极的中部区域对应的区域。本发明提供一种新的2‑bitcell的电荷俘获型分栅闪存器件结构及其自制造工艺，与现有技术的NROM不同的是，该结构在栅极的正中间将电荷俘获介质层自对准刻蚀去除，可避免两个Bit之间的存储的电荷在电场作用下的横向移动带来的干扰，引入选择栅器件使得器件可以容忍过擦除操作，此外，该工艺是自对准工艺，可以进一步减小闪存单元的面积，同时不受光刻工艺的限制。

本发明授权分栅闪存器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述分栅闪存器件包括二比特单元分栅闪存器件，所述制造方法包括以下步骤：制作形成第一氧化硅层，在所述第一氧化硅层的上方制作形成第一氮化硅层，所述第一氧化硅层为底部栅介质层，所述第一氮化硅层为电荷俘获介质层；将第一目标区域对应的所述电荷俘获介质层刻蚀去除，所述第一目标区域为与栅极的中部区域对应的区域，包括以下步骤：S11、在所述第一氮化硅层的上方依次制作形成第二氧化硅层、第二氮化硅层；S12、将第二目标区域对应的所述第二氮化硅层刻蚀去除，所述第二目标区域为闪存单元区域对应的区域，所述第二目标区域的宽度大于所述第一目标区域的宽度；S13、在与所述第二目标区域对应的所述第二氧化硅层的上方沉积多晶硅层并进行各项异性刻蚀以形成多晶硅侧墙；S14、以所述多晶硅侧墙为掩膜自对准依次对所述第一目标区域对应的所述第二氧化硅层、所述第一氮化硅层进行刻蚀；S15、以所述第二氮化硅层、所述第二氧化硅层、所述第一氮化硅层、所述第一氧化硅层为停止层刻蚀去除多晶硅侧墙。

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