恭喜中国电子科技集团公司第四十八研究所谢贵久获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十八研究所申请的专利一种氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114280107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111449733.X,技术领域涉及:G01N27/12;该发明授权一种氢气传感器及其制备方法是由谢贵久;张浩;车颜贤;何峰;丁玎;张月鑫设计研发完成,并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种氢气传感器及其制备方法,属于传感器技术领域,用于解决目前氢气传感器抗干扰性能弱的技术问题,氢气传感器具体包括硅片衬底,所述硅片衬底上设有薄膜电气隔离层,所述薄膜电气隔离层上设有加热电阻、测温电阻和氢敏电阻,所述加热电阻、测温电阻和氢敏电阻均设置有引线端,所述氢敏电阻的上方设有一层有机聚合物薄膜层。本发明具有性能稳定、寿命长、成本低、抗干扰性能好等优点。
本发明授权一种氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种氢气传感器,其特征在于,包括硅片衬底(1),所述硅片衬底(1)上设有薄膜电气隔离层(2),所述薄膜电气隔离层(2)上设有加热电阻(3)、测温电阻(4)和氢敏电阻(5),所述加热电阻(3)、测温电阻(4)和氢敏电阻(5)均设置有引线端,所述氢敏电阻(5)的上方设有一层有机聚合物薄膜层(6);所述有机聚合物薄膜层(6)由PMMA或PTFE高分子有机聚合物制成;所述薄膜电气隔离层(2)为SiO2薄膜电气隔离层;所述氢敏电阻(5)由Pd1-x-Nix、Pd1-x-Agx、Pd1-x-Crx或Pd1-x-Cux材料制备而成;有机聚合物薄膜层(6)的厚度范围为10nm-150nm,通过离子束溅射镀膜工艺沉积,溅射电压为450V,溅射电流为45mA。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十八研究所,其通讯地址为:410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。