恭喜新奥科技发展有限公司张国松获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜新奥科技发展有限公司申请的专利一种托卡马克硼化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116411253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111649980.4，技术领域涉及：C23C16/28；该发明授权一种托卡马克硼化工艺是由张国松;田小让;赵鑫;吴超;李全设计研发完成，并于2021-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种托卡马克硼化工艺在说明书摘要公布了：本发明提供了一种托卡马克硼化工艺，包括：在聚变装置的第一壁上镀上一层初始硼膜，当测量的当前硼膜厚度为所述初始硼膜厚度的预设百分比时，在所述聚变装置中调试出特定且稳定可重复的等离子体位形，并对所述第一壁上已经沉积的硼膜进行等离子体清洗后，开始通过与聚变装置连通的硼粉注入装置以预设的工艺条件向所述聚变装置中注入硼粉，以实现在聚变装置的预设部位上沉积硼膜。本发明可有效延长硼膜寿命，提升硼膜的质量，缓解硼膜受轰击后的不均匀的问题，进一步提升了硼膜对杂质的吸附抑制能力，为聚变装置等离子体放电运行提供更为可靠的壁条件。
本发明授权一种托卡马克硼化工艺在权利要求书中公布了：1.一种托卡马克硼化工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在聚变装置的第一壁上沉积一层预设厚度的初始硼膜，以使等离子体放电能稳定运行；步骤2，实时检测沉积在所述第一壁上的硼膜的厚度，待当前硼膜厚度为所述初始硼膜厚度的预设百分比时，在所述聚变装置中调试出预设的等离子体位形，通过与所述聚变装置连通的硼粉注入装置以预设的工艺条件向所述聚变装置中注入硼粉，从而实现在所述聚变装置的预设部位上沉积硼膜；所述硼粉的粒径为50-100μm；向所述聚变装置注入硼粉的工艺条件为：硼粉的注入速率为2-12mgs；连续进行多次硼粉注入操作，每次注入硼粉的持续时间为1.3-3.3s。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新奥科技发展有限公司，其通讯地址为：065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路新源东道新奥科技园南区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号