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龙图腾网恭喜上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利低功耗电平转换电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114553213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210185957.2，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权低功耗电平转换电路是由张海能;肖军设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本低功耗电平转换电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗电平转换电路，其包括第一PMOS管等，第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极相互连接，第一PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极都与第六PMOS管的源极连接，第三PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极都与第一输出信号端连接，第四PMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极都与第二输出信号端连接，第五PMOS管的源极、第四PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极都与第二PMOS管的漏极连接，第五PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极都与第一PMOS管的栅极连接。本发明电平转换电路的电流较小，不会产生较大的短路电流损耗。

本发明授权低功耗电平转换电路在权利要求书中公布了：1.一种低功耗电平转换电路，其特征在于，其包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、输入信号端IN、第一输出信号端、第二输出信号端，第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极相互连接，第一PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极都与第六PMOS管的源极连接，第三PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极都与第一输出信号端连接，第四PMOS管的漏极、第四NMOS管的漏极都与第二输出信号端连接，第五PMOS管的源极、第四PMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极都与第二PMOS管的漏极连接，第五PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极都与第一PMOS管的栅极连接，第五NMOS管的源极、第二NMOS管的漏极、第四NMOS管的栅极都与第五PMOS管的栅极连接，第六PMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极都与第二PMOS管的栅极连接，第三NMOS管的栅极、第六NMOS管的源极、第一NMOS管的漏极都与第六PMOS管的栅极连接，第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极都接地，第一NMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极之间连接有一个反相器，第一NMOS管的栅极、反相器的输入端都与输入信号端连接。

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