恭喜江苏芯德半导体科技股份有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210485627.5，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法是由刘伟;张恒运设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法，该载板为引线框架或基板，载板内形成有用于贴装芯片的基岛，基岛内形成有至少一个镂空区，镂空区边缘形成有半蚀刻区，半蚀刻区与镂空区形成台阶状，半蚀刻区用于填充固化剂一以贴装芯片，基岛形成的镂空区位于芯片在基岛上的正投影内，镂空区未贴装芯片的一侧用于填充固化剂二以粘结芯片，载板的边框形成有导电焊盘，导电焊盘用于与芯片的引出端连接。本发明适用于所有封装类型，能够突破现有芯片厚度极限，通过半蚀刻区贴装超薄芯片，进一步减少封装厚度，采用背面刷胶工艺涂抹固化剂填充镂空区，可避免由于芯片超薄固化剂上翻至芯片正面造成的异常，提高芯片性能，提高良品率。
本发明授权一种芯片超薄封装载板及芯片封装结构和芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片超薄封装载板，其特征在于，所述载板为引线框架或基板，所述载板内形成有用于贴装芯片的基岛，所述基岛内形成有至少一个镂空区，所述镂空区的边缘形成有半蚀刻区，所述半蚀刻区与镂空区形成台阶状，所述半蚀刻区用于填充固化剂一以贴装芯片能减少封装厚度，所述基岛形成的镂空区位于芯片在基岛上的正投影内，所述镂空区未贴装芯片的一侧用于填充固化剂二以粘结芯片，能使固化剂一和固化剂二百分百覆盖芯片的背面且固化剂一和固化剂二不会上翻污染芯片正面，所述载板的边框形成有导电焊盘，所述导电焊盘用于与芯片的引出端连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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