恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利正装发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210626486.4，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权正装发光二极管及其制备方法是由郭茂峰;蔡立鹤;何小可;沈侠强;李世焕;边福强;李士涛设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本正装发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种正装发光二极管及其制备方法，在透明导电层的第一部分与外延层之间形成透明电介质层，透明导电层的第一部分、透明电介质层及外延层可以构成MIS电容结构，而透明导电层的第二部分用于欧姆接触和电流扩展，可以令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从第一半导体层向发光层聚集，空穴从第二半导体层向发光层中聚集，且透明导电层的第一部分和第二部分利用不同工作原理提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本较低。
本发明授权正装发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种正装发光二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，包括由下至上依次设置的第一半导体层、发光层及第二半导体层；透明电介质层，位于部分所述第二半导体层上；透明导电层，包括位于所述透明电介质层上的第一部分以及位于部分所述第二半导体层上的第二部分，所述透明导电层的第一部分、所述透明电介质层及所述外延层构成MIS电容结构；以及，第一电极、第二电极和第三电极，分别与所述透明导电层的第一部分、所述透明导电层的第二部分及所述第一半导体层电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司，其通讯地址为：361026 福建省厦门市海沧区兰英路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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