恭喜武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司李志刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉帝尔激光科技股份有限公司;帝尔激光科技(无锡)有限公司申请的专利一种太阳能电池的前表面结及一种晶体硅电池的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210661889.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种太阳能电池的前表面结及一种晶体硅电池的制作方法是由李志刚;朱凡;陆红艳;张强;朱胜鹏设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池的前表面结及一种晶体硅电池的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种前表面结的制作方法及一种晶体硅电池的制作方法，对晶体硅片表面进行湿法处理后；在晶体硅表面印刷涂覆或沉积一层硼源后进行激光掺杂，清洗硅片表面多余硼源和掺杂区的部分激光损伤；然后再利用后续工序中的高温对激光掺杂区的激光损伤进行修复，之后完成表面的氧化铝钝化和氮化硅镀膜，最后印刷一层银浆或银铝含量经过配比调整的银铝浆并烧结，最终形成了具有优质钝化、低金属复合、低接触电阻的前表面结结构。与现有技术相比，仅增加了印刷涂覆或沉积硼源和激光掺杂的工序，考虑到后续金属化时可以省去激光开槽步骤，因此实际仅增加一道印刷涂覆或沉积硼源的工序，流程简单，可轻松实现量产化。
本发明授权一种太阳能电池的前表面结及一种晶体硅电池的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体硅电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、对晶体硅片表面进行湿法处理后；S2、在晶体硅正面印刷涂覆或沉积硼源；S3、对印刷涂覆或沉积的硼源进行激光掺杂，将表面的硼掺入晶体硅中，形成的结深≥1μm；S4、对激光掺杂后的硅片进行清洗，洗去多余的硼源和至少部分损伤；S5、在抛光的背表面，沉积隧穿氧化层和多晶硅层，利用扩散的高温，对激光掺杂产生的部分晶格缺陷进行退火修复处理；S6、洗去表面的绕镀层和氧化层后，在表面结构上制备钝化结构层；S7、完成金属化制作；S8、最后进行高温烧结和氢钝化处理；最终，激光掺杂硼源形成的前表面结表面掺杂浓度为1E+20cm-3～2E+21cm-3。
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